在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？

变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。

低掺杂半导体：由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.

高掺杂半导体：杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.

中等掺杂：介于二者之间.

低掺杂半导体：由于所有杂质完全电离，温度升高时多子浓度基本不变。

高掺杂半导体：杂质只有部分电离，温度升高导致未电离的杂质原子电离，多子浓度升高明显。

中等掺杂：介于二者之间。

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