半导体融入纳米技术越小越好？

半导体种类很多，运用纳米技术越小越好指的是芯片线路设计，并非什么半导体都可以做到3纳米，例如带能量的线路暂时还在微米阶段

台积电的芯片制造技术确实是目前很先进，但也花了三十年的苦功，不是一夕可成我们与世界上半导体水平的差距只有两个方面:缺人才和管理落后

半导体电阻率与温度的关系:决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下:由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。在室温下:由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧，导致声子散射增强所致)，所以电阻率将随着温度的升高而增大。在高温下:这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强)，但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

以实际应用的掺杂单晶硅为例： 1-较低温度时，温度升高，电阻率下降。这时载流子的增加以杂质的激发为主； 2-温度再升高，杂质的激发完毕，本征激发不明显。这时晶格的热振动使载流子的散射加剧，电阻率随温升而上升； 3-温度再升高，本征激发为主，载流子增加。这时电阻率随温升而下降； 4-温度再升高，晶格的热振动散射使载流子迁移率的下降效果，超过载流子的增加效果。这时电阻率随温升而上升。 正常使用半导体器件，不应该使温度上升到“3-本征激发”的阶段。

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