半导体受能量激发后晶体结构变化

半导体受到能量激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带。具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

半导体受到能量激发后，常见的行为不包括价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带。具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。

P型半导体：

在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一空穴。P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成电子是少数载流子，由热激发形成。根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。

半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器.

---