pn结的形成过程中,交界面载流子的相互扩散形成空间电荷区(耗尽层),可以把耗尽层的两个断面想象成两块带电的金属板(即结电容的模型),它最终能保证耗尽层内的漂移电流等于扩散电流,同样,这两块带电板在耗尽层外的p区和n区产生的电场能相互抵消!所以我们说p区与n区没有电场存在。
从能量角度来描述pn结的形成就是:p型、n型半导体中费米能级在禁带中的位置有差异,而平衡系统的费米能级必定处处相等,所以在pn结平衡的过程中,两端的禁带相互错开形成一定高度的势垒(内建电场),直至费米能级相等。
半导体电导率与电场强度是相互制约的关系。半导体的理想状态,现实中的电阻,会加速内部电子运动,会撞到内部原子而停下来,电子加速、停下、再加速这样不停地在回路内运动,电场强度越大,原子阻碍越大,在电场回路上相互制约。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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