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硅是半导体的材料之一,具有导电性,但是很弱,弱的让你感觉不到 单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅.如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅.多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面.例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅.多晶硅可作为拉制单晶硅的原料.单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上.大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9.目前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅.单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料.晶间腐蚀是金属腐蚀的一种常见的局部腐蚀,腐蚀从金属表面开始,沿着晶界向晶粒内部发展,使晶粒间的结合力大大减弱,降低了材料的强度,严重时可使材料的机械强度完全丧失,它是危害性很大的局部腐蚀形式之一。
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