关于半导体的掺杂，什么是完全电离？在什么条件下完全电离发生？

不能简单地说,半导体的电阻率是温度的单调递减函数. 在温度较低时,杂质没有完全电离,这时随温度升高,杂质电离增加直到完全电离,这段以载流子增加为主,所以电阻率降低；随后温度升高,虽然本征激发开始,但载流子迁移率的下降对电阻率的升高影响更大,所以这段会使电阻率升高；最后,温度的升高使本征激发带来的载流子浓度大大提高,超过了迁移率的下降对电阻率的升高影响,所以这段又会使电阻率降低.

网上查到的，有一个说选C的，剩下看到的都选的B. B:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度主要取决于温度. 还查到一段（没看太懂）：你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低掺杂下,分布函数可以简化为玻尔兹曼分布,此时多子浓度随温度的变化主要分三个区域,低温弱电离区,常温全电离区和高温本征激发区,第一个区域多子浓度随温度的升高而增大,主要是由于杂质随温度的升高开始电离,常温下杂质全电离,此时多子浓度随温度的升高不再剧烈变化,到高温时,半导体内的本征电离产生的本征载流子浓度已经超过了杂质电离浓度,此时半导体的多子浓度又会急剧增大. 简并态（高掺杂）下半导体杂质无法全电离,高掺杂实际上是费米能级很接近甚至进入导带或价带中,此时杂质能级与导带和价带中的能级发生简并,其结果就是导致禁带宽度变小,此时多子浓度随温度的变化与本征半导体类似,随温度的升高而增大.

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