半导体物理里面的有效复合中心是什么，怎么确定是不是复合中心？

有效复合中心是促进载流子复合，对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用的杂质和缺陷。确定是复合中心：看能否对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用。

复合中心还有产生作用。产生作用是复合作用的逆过程，即价带中的电子先激发到复合中心上，再由复合中心激发到导带，同时在价带中留下空穴。

扩展资料

杂质和缺陷可以在禁带中引入局部化的能级，这些能级，特别是离导带底和价带顶较深的能级，就好象台阶一样，对电子和空穴的复合起到中间站的作用，它们可以促进电子、空穴的复合，这些能促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心，它们的能级称为复合中心能级。间接复合是指通过复合中心的复合。

只有当复合中心的复合作用很弱时，寿命才是由直接复合决定的。直接复合所决定的寿命是材料所能具有的最高寿命值。因为一般的实际材料都含有杂质和缺陷，所以寿命都远小于直接复合所决定的值。

电子、空穴的复合可以分为两步走：导带电子落入复合中心能级，电子再由复合中心能级落入价带与空穴相复合，复合中心又恢复了原状态，又可以再去完成下一次的复合过程。当然还存在着上述两个过程的逆过程，所以间接复合仍然是一个统计性。

这里要区分清楚两个问题：一是能带结构（直接带隙或者间接带隙），二是复合机理（直接复合或者间接复合）。GaAs是直接带隙半导体，复合机理主要是直接复合，则少数载流子寿命很短。直接复合的几率与禁带宽度有关，则禁带宽度越小的半导体，少数载流子寿命就越短。Si和Ge是间接带隙半导体，主要是依靠复合中心的间接复合机理，则寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本上无关。一般，间接复合的寿命都较长。所以，Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长，虽然GaAs的禁带宽度较大。详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“纠正误解[1]——微电子概念”

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