内存颗粒是什么

比方：内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43

这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：

·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为25V。(V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V)

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

里面有更详细更全面的介绍，你看看

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这是8位的不能用于路由硬改。16位的颗粒有以下型号可用于路由硬改：\x0d\sd颗粒脚数 ： 27 54\x0d\ddr颗粒脚数： 33 64\x0d\内存条单面有4颗粒和8颗粒区分:\x0d\4颗粒的绝对是单颗16bit\x0d\8颗粒的有可能是单颗16bit 也可能是单颗8bit\x0d\双面16颗粒的:\x0d\绝对不会是16bit,有可能是8bit,也可能是4bit\x0d\\x0d\DDR(16位)：\x0d\HY5DU561622DT-J 32m (333MHz)\x0d\NT5DS16M16CT-6K 32m (333MHz)\x0d\HY5DU561622AT-H 32m (266MHz)\x0d\NT5DS16M16BT-6K 32M\x0d\HY5DU561622ETP-D43 32M\x0d\WINBOND W9425G6D(E)H-5 32M\x0d\NANYA NT5SV16M16AT-75B 32M\x0d\HY（现代） HY5DU121622C(D) TP-D43 64M\x0d\VDATA VDD9616A8A-6B H0513 64M\x0d\MT（镁光）46V64M16 P-6TA 128M\x0d\mt46v64m16tg-6t 128M\x0d\MT（镁光）46V32M16 64M\x0d\ELPIDA\尔必达 D5116AFTA-5B-E 64M\x0d\金邦 GL3LC32G16TG-5A 64M\x0d\PC400 / DDR 400 64MB (32MB x 16bit)\x0d\Hynix HY5DU121622DTP-D43-C \x0d\Hynix HY5DU121622DTP-D43 \x0d\Hynix H5DU5162ETR-E3C \x0d\Samsung K4H511638G-LCCC \x0d\Samsung K4H511638J-LCCC \x0d\Zentel A3S12D40ETP-G5 \x0d\Nanya NT5DS32M16BS-5T \x0d\Mira P3S12D40ETP-GUTT \x0d\Infineon HYB25D512160BE \x0d\Infineon HYB25D512160BE-5 \x0d\PC333 / DDR 333 64MB (32MB x 16bit)\x0d\Micron MT46V32M16TG-6T:F \x0d\Micron MT46V32M16P-6T:F \x0d\Elpida EDD5116ADTA-6B-E \x0d\Qimonda HYB25D512160CE-6 \x0d\Qimonda HYB25D512160CEL-6 \x0d\Qimonda HYB25D512160DE-6 \x0d\Hynix HY5DU121622CTP-J \x0d\Samsung K4H511638D-UCCC \x0d\Samsung K4H511638B-TCB3 \x0d\Samsung K4H511638D-UCB3 \x0d\Hynix HY5DU121622CTP-J \x0d\Hynix HY5DU121622CTP-D43 \x0d\Hynix HY5DU121622CLTP\x0d\Hynix HY5DU121622DTP\x0d\Hynix HY5DU121622DLTP\x0d\Kingston K4H511638C-UCB3\x0d\Elpida D5116AFTA-5B-E\x0d\NCP NP25D3216512K-5\x0d\Nanya NT5DS32M16BS\x0d\infineon HYB25D512160BE\x0d\Micron MT46V32M16TG\x0d\Micron MT46V32M16TG\x0d\Elixir N2DS51216BT-5T\x0d\Elixir N2DS51216CS-5T\x0d\Zentel A3S12D40ETP\x0d\\x0d\SD(16位)：\x0d\K4S561632D-TC75 32M \x0d\K4S281632F-TC75 16M \x0d\hy57v281620hct 16M \x0d\P2V28S40ATP 16M \x0d\MT48LC8M16A2-75 16M \x0d\MT48LC16M16A2 32M \x0d\HY57V561620A/B/C/L/T-75 32MB \x0d\IC42S16800-6TG 16MB \x0d\IC42S16160-6TG 32MB \x0d\GP6LC16G168TG-7 32MB \x0d\W981216AH-75 16MB \x0d\M2V28S40ATP-6L 16MB \x0d\EM639165TS-6 16MB \x0d\k4s511632d-uc60 64MB \x0d\MT48LC32M16A2-UC60 64MB\x0d\英飞凌 HYB39S128160CT-75 16M\x0d\HYB39S256160CT-75 32m\x0d\RC56S161TA0-13AC 32M

内存颗粒是基于晶圆生产出来的，晶圆一般有6英寸、8英寸及12英寸规格不等。晶圆上一个小块，一个小块，就是晶片晶圆体，也名Die，经过封装之后就成为一个闪存颗粒。

在一整个晶圆进行切割封装之前，要先进行基本的电性测试，看看晶圆的质量是否较差，或者晶圆的某些区域有潜在缺陷。

那些较差的晶圆，或者晶圆上较差的区域，在切割封装后就会成为白片颗粒。而其中最好的部分一般内存颗粒厂商自己也不会用，会发给其他厂商制做昂贵的超高频率内存，剩余原厂颗粒会用于常规内存产品。

扩展资料：

内存颗粒序列号的含义

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为75ns(cl=3)；7c为75ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

参考资料来源：中关村在线——内存选购指南：这么买内存永远不会亏！

参考资料来源：百度百科——内存颗粒

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