纳法(nF)是电容单位。
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。
电容的符号是C。
在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:
1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
相关公式:
一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的,即:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离, k则是静电力常量。
电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2
常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系是:
1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)
电容的单位:
电容的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。
它们之间的具体换算如下:
1F=1000000μF
1μF=1000nF=1000000pF
拓展:
电容器,通常简称其容纳电荷的本领为电容,用字母C表示。定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。
电容与电容器不同。电容为基本物理量,符号C,单位为F(法拉)。
通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式:板间电场强度E=U/d ,电容器电容决定式 C=εS/4πkd
随着电子信息技术的日新月异,数码电子产品的更新换代速度越来越快,以平板电视(LCD和PDP)、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长,带动了电容器产业增长。
电容单位。
1F=1000 mF
1mF=1000 μF
1μF=1000 nF
1nF=1000 pF
在电路学里,给定电势差,电容器储存电荷的能力,称为电容(capacitance),标记为C。采用国际单位制,电容的单位是法拉(farad),标记为F。-wikipedia
法拉是电容的国际单位,简称法,单位符号为F。是一种国际单位制导出单位。
此单位是以发现电磁感应现象的英国物理学家迈克尔·法拉第的名字而命名的。
1F=1 C/V=1 s4A2m-2kg-1-wikipedia
法拉
满足接收系统灵敏度要求时,LNA的噪声系数如何估算。对于低噪声放大器的噪声系数NF公式如下:F=(Si/Ni)/(So/No)级联的噪声系数公式F=F1+(F2-1)/G1+(F3-1)/G1G2+
假设接收机输入端的最小信噪比要求为SNRmin,那么系统的灵敏度为:Smin=SNRminKTB[Ta/T+(F-1)]K是(玻尔兹曼)Boltzmann常数;B是系统带宽;Ta是天线的噪声温度;T为射频系统的绝对温度为290;那么KTB为热噪声在带宽为B上的功率;噪声温度为290时,则可获得噪声功率密度K290约为-174dBm/Hz,根据接收机的灵敏度指标,若假设LNA输出信号的SNR为20dB时就能满足服务质量的需求,接收系统的输入信号范围[-70dBm,-30dBm],那么其接收机噪声系数必须满足:
因为1F(法)=10^3mF(毫法)=10^6uF(微法)=10^9nF(纳法)=10^12pF(皮法)
所以:1uF(微法)=10^3nF(纳法)=10^6pF(皮法)最基本的关系
用数字表示的电容容量单位换算如下:
105=1μF=1000nF=1000000pF
104=01μF
103=001μF=10000pF
102=0001μF=1000pF
扩展资料:
在1伏特直流电压作用下,如果电容器储存的电荷为1库仑,电容量就被定为1法拉,法拉用符号F表示,1F=1Q/V。在实际应用中,电容器的电容量往往比1法拉小得多,常用较小的单位,如毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)等,它们的关系是:1微法等于百万分之一法拉;1皮法等于百万分之一微法,即:
1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF);1纳法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。
参考资料来源:百度百科-电容器
法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
电容与电池容量的关系:
1伏安时=1瓦时=3600焦耳
W=05CUU
扩展资料:
电容的种类可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。
1、无极性可变电容
制作工艺:可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜,定片为镀有金属膜的陶瓷底;动片为同轴金属片,定片为有机薄膜片作介质
优点:容易生产,技术含量低。
缺点:体积大,容量小
用途:改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路
2、无极性无感CBB电容
制作工艺:2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
优点:无感,高频特性好,体积较小
缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。
用途:耦合/震荡,音响,模拟/数字电路,高频电源滤波/退耦
3、无极性CBB电容
制作工艺:2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
优点:有感,高频特性好,体积较小
缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。
用途:耦合/震荡,模拟/数字电路,电源滤波/退耦
4、无极性瓷片电容
制作工艺:薄瓷片两面渡金属膜银而成。
优点:体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)
缺点:易碎,容量低
用途:高频震荡、谐振、退耦、音响
5、无极性云母电容
制作工艺:云母片上镀两层金属薄膜
优点:容易生产,技术含量低。
缺点:体积大,容量小用途:震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小,其他同CBB,有感
用途:模拟/数字电路信号旁路/滤波,音响
6、有极性电解电容
制作工艺:两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸在电解液中。
优点:容量大。
缺点:高频特性不好。
用途:低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响
7、钽电容
制作工艺:用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。
优点:稳定性好,容量大,高频特性好。
缺点:造价高。
用途:高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路
8、聚酯(涤纶)电容
符号:CL
电容量:40p--4u
额定电压:63--630V
主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差
应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路
参考资料来源:百度百科-电容-单位及转换
电容的单位有uF、nF、pF 三个单位之间的倍率是1000
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF);
在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等。
扩展资料:
电容的作用
1)旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2)去耦
从电路来说, 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大, 驱动电路要把电容充电、放电, 才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候, 电流比较大, 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流;
由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感)会产生反d,这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。
去耦电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰,在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。
将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。
高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取01μF、001μF 等;而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF 或者更大,依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3)滤波
从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容滤低频,小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流,通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000μF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。
参考资料来源:百度百科-电容
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