开路电压指在外电路断开时，电源端间的电位差；闭路电压是指在电路接通负载后的端电压；放电电压也是指工作电压，如电池放电时电池两极之间的电位差。如果是开路的话,应该就等于电源电压如果是闭路的话,应该就是运用欧姆定律来做,当然具体的电路图要特定分

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^32*e^-E(go)(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余

发光二极管属于半导体。半导体发光二极管和半导体激光器类似，也是一个PN结，也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。半导体发光二极管记作LED，是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层，以及中间的由双异质结构成的有源层组成。有源层是发光

半导体的特性，热电特性是温度-电阻特性，可以理解为温敏电阻。半导体材料随温度变化，阻值变化，通过串联固定电阻给单片机对比信号，可以用作温度传感器反之，半导体通电后会有PN节一端热一端冷现象，也可做为加热制冷用在物体中形成电流的必要条件是要

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余

一、daifuku大福大福(中国)有限公司，洗车机十大品牌，始于1937年日本，专业从事自动洗车机、保龄球、社会福利及环保设施的制造、销售及相关售后服务的国际化企业。二、海天南京海天洗车设备制造有限公司，洗车机十大品牌，较早在国外建立分公司

在物体中形成电流的必要条件是要存在导电载流子。金属的导电载流子是自由电子，电解质溶液的导电载流子是正、负离子，半导体材料的导电载流子是电子与空穴，气体中的导电载流子是带电离子。接触时，不同物体间载流子的运动、相互作用会发生变化，形成各种效应

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余

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1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑ic、模拟ic、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照ic、lsi、vlsi（超大lsi）及其规

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费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半导体。但

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在物体中形成电流的必要条件是要存在导电载流子。金属的导电载流子是自由电子，电解质溶液的导电载流子是正、负离子，半导体材料的导电载流子是电子与空穴，气体中的导电载流子是带电离子。接触时，不同物体间载流子的运动、相互作用会发生变化，形成各种效应

在物体中形成电流的必要条件是要存在导电载流子。金属的导电载流子是自由电子，电解质溶液的导电载流子是正、负离子，半导体材料的导电载流子是电子与空穴，气体中的导电载流子是带电离子。接触时，不同物体间载流子的运动、相互作用会发生变化，形成各种效应

在理想状态下的BiOCl 应该是本征半导体在实际中 我觉得它应该是n型 BiOCl 是一种光催化剂 类比于同为光催化剂的TiO2 其类型和性质应该差不多 TiO2存在非化学计量比缺陷 即电荷缺陷 点缺陷的一种 换句话说 TiO2中非故意掺杂

因为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。霍尔效应为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直