半导体的亲和能就是半导体的导带底相对于真空能级位置，气敏性与亲和能有关系，比如ZnO是一种表面电阻型的气敏材料，在高温气氛中，ZnO表面吸附氧化或还原物质使其表面电导率发生改变。在电化学领域，氧化锌有一个导带能级，电解质有N个氧化还原能级，

半导体的亲和能就是半导体的导带底相对于真空能级位置，气敏性与亲和能有关系，比如ZnO是一种表面电阻型的气敏材料，在高温气氛中，ZnO表面吸附氧化或还原物质使其表面电导率发生改变。在电化学领域，氧化锌有一个导带能级，电解质有N个氧化还原能级，

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

新型无机非金属材料高频绝缘材料氧化铝、氧化铍、滑石、镁橄榄石质陶瓷、石英玻璃和微晶玻璃等铁电和压电材料钛酸钡系、锆钛酸铅系材料等磁性材料锰-锌、镍-锌、锰-镁、锂-锰等铁氧体、磁记录和磁泡材料等导体陶瓷钠、锂、氧离子的快离子导体和碳化硅等半

金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得

半导体的杂质对半导体的物理性质的影响，主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说，杂质越多，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差，差可以导致两个物理指标下降：1.杂散电流随环境温度增加而增加；2.PN结的耐压程度和温度系数变劣。

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收

杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们底共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。在制造半导体器件底过程中，通过采用杂质补偿底方法来改变半导体某个区域底导电类型或电阻率。高度补偿：若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等

激光束横向光场分布的特点：稳态的时候，谐振腔内任何一个横截面上的光场分布都是确定的，不随时间变化的。成因：激光横模是可以利用自再现条件和衍射理论推导出来的。所以，以激光谐振腔内的任何一个横截面为参考，这个面上的光场在腔内传播一个来回，回到

相同点：能改变半导体材料的电导率不同点：改变方法与效果不同掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大，主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。只有在重掺杂时才会是迁移率下降，不过载流子浓度增加的更多一些，总体使电导率升高。温度的影

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

T=77k低温弱电离 n0=[(NdNc2)^(12)]exp(△ED2k0T) Nc正比于T^32 △ED=0.044eVT=300k 强电离区 n0=Nd；T=500k 过渡区 ni^2=n0*p0n0=Nd+p0联立求

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起

半导体光源3——半导体激光器的结构、工作原理和工作特性Nikki半导体激光器的结构、工作原理和工作特性半导体的基本概念（1） 本征半导体的能带分布本征半导体就是指没有任何外来杂质的理想半导体。由于半导体本身是固体，原子排列紧密，使得电子轨道

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不

从能量的角度：费米能级是化学势，定义为系统增加一个电子引起自由能的变化。热平衡时由于吉布斯函数取极值，那多元系的化学势必须相同，也就是说费米能级相同。 从电子填充的角度：由于电子能级填充满足费米狄拉克分布，那么大于0K情况下填充概率为0

半导体物理h是表示小时。小时不是时间的国际单位制基本单位（时间的国际单位制基本单位是秒），而是与国际单位制基本单位相协调的辅助时间单位。大写字母H的含义：1、在化学中，表示元素氢的化学符号，或表示1个氢原子。或表示原子构成的物质。2、