杂质半导体有哪两种如下：1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体2、N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中

本文关注金属与半导体的肖特基势垒概念性理解及与之相关的欧姆接触，不涉及应用工艺细节。 我们知道，N型半导体与P型半导体接触会因为载流子的扩散形成耗尽区，从而形成PN节。当金属与半导体接触时会怎样呢？ 其中一种情况是，金属与N型半导体

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

半导体物理中Ei代表能级费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级，常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与表面情况有关，易改变，所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量差。虽然严格来说，费米能

没有半导体你就提不了这个问了在半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，

有效复合中心是促进载流子复合，对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用的杂质和缺陷。确定是复合中心：看能否对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用。复合中心还有产生作用。产生作用是复合作用的逆过程，即价带中的电子先激发到复合中心上，再由复合中心激

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

费米能级在半导体物理学中经常被认为是电子或空穴的化学势，对于电子和空穴的运动起着重要的作用。在N型半导体中，电子浓度较高，因此费米能级越靠近电子占据的导带；P型半导体中，空穴浓度较高，因此费米能级越靠近空穴占据的价带。本征半导体，处于中央。

n型半导体和p型半导体的区别如下：1、形成原因不同在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计率。对于一个能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率为f(E)称为电子的费米分布函数。式子中的称为费米能级或费米能量，它和温度、半导体材料的导电类型、杂质含量以及能量零点的选取有关。

你这个问题提得很好.因为高度补偿半导体的有效载流子浓度很低,类似于本征半导体,所以采用常规的三探针技术、四探针技术等测量电阻的方法是无效的,就是采用电容-电压技术等也都不能很好检测出来.因此,只有采用光吸收等光学技术才有可能检测出杂质.

半导体、绝缘体和导体由禁带宽度划分，即导带与价带之间的相对位置决定。1 导体的导带和价带基本重合，禁带宽度为0，电子由价带进入导带基本无需额外能量，因此内部存在大量自由电子，具有低电阻率。2 半导体导带和价带距离适中，即禁带宽度适中，因此价

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产

半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五

半导体物理中的杂质指的是半导体内部的除半导体本身原子意外的其他原子。所谓施主受主，指的是半导体内部杂质原子的核外电子最外层电子数多于4还是少于4。因为原子核最外层电子数目为4时最稳定。如果最外层电子数少于4个，那么它容易吸引一个自由电子进入

半导体的亲和能就是半导体的导带底相对于真空能级位置，气敏性与亲和能有关系，比如ZnO是一种表面电阻型的气敏材料，在高温气氛中，ZnO表面吸附氧化或还原物质使其表面电导率发生改变。在电化学领域，氧化锌有一个导带能级，电解质有N个氧化还原能级，

帕尔帖(peltire)效应 电流流过两种不同导体的界面时，将从外界吸收热量，或向外界放出热量。这就是帕尔帖效应。由帕尔帖效应产生的热流量称作帕尔帖热，用符号 表示。 对帕尔帖效应的物理解释是：电荷载体在导体中运动形成电流。由于电荷载体在不

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将