碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。1、碳化硅（SiC）碳化硅，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自18

半导体材料：氧化锌半导瓷 化学式：ZnO 基本概况：ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ一Ⅵ宽禁带(E =3．37eV)。在常温常压下其是一种非常典型的直接宽禁半导体材料，稳定相是六方纤锌矿结构，其禁带宽度所对应紫外光波长，有希望

本设计中锁相环选用摩托罗拉公司生产的锁相环频率合成器频率合成器频率合成器是给微波扫频信号提供一定分辨力的频率参考信号，并对微波信号输出频率进行逐点锁定，以得到高准确度和稳定度的扫频输出信号。 [全文]专用芯片MC145152，其内部组成方框

稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors, DMS）是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素（transition metals, TM）取代后形成的磁性半导体。因为一般掺入的杂质浓度不高，磁性比较弱，因

半导体材料：氧化锌半导瓷 化学式：ZnO 基本概况：ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ一Ⅵ宽禁带(E =3．37eV)。在常温常压下其是一种非常典型的直接宽禁半导体材料，稳定相是六方纤锌矿结构，其禁带宽度所对应紫外光波长，有希望

美股尾盘再现涨幅扩大， 科技 股拖累纳指一度转跌，中概电动车大涨，蔚来创新高。国际油价V型反d，欧亚盘跌6%后美股盘中大涨3.7%，较日低回涨近3.50美元或10%。避险情绪升温，美元指数创一个月新高，黄金重回一周高位，欧美国债收益率走低

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。1、碳化硅（SiC）碳化硅，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自18

常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．什么是光催化？光触媒[PHOTOCATALYSIS]是光 [Photo=Light] + 触媒(催化剂)[cat

半导体材料：氧化锌半导瓷 化学式：ZnO 基本概况：ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ一Ⅵ宽禁带(E =3．37eV)。在常温常压下其是一种非常典型的直接宽禁半导体材料，稳定相是六方纤锌矿结构，其禁带宽度所对应紫外光波长，有希望

与重要半导体相容的高自旋极化率磁性材料被认为是未来纳米尺度上的自旋电子器件的理想组件，但是这就要求当器件尺寸降到纳米尺度时相应材料仍然具有高自旋极化率和优良的结构和性能稳定性。在这方面，与III-V或II-VI半导体相容的半金属(half-

半导体材料：氧化锌半导瓷 化学式：ZnO基本概况：ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ一Ⅵ宽禁带(E =3．37eV)。在常温常压下其是一种非常典型的直接宽禁半导体材料，稳定相是六方纤锌矿结构，其禁带宽度所对应紫外光波长，有希望能

半导体、超导体、绝缘体知识讲解 一、半导体1.概念：导电性能介乎导体和绝缘体之间,它们的电阻比导体大得多,但又比绝缘体小得多.这类材料我们把它叫做半导体.2.半导体材料:锗、硅、砷化镓等,都是半导体.3. 半导体的电学性能:例如：光敏电阻、

可以考虑根据电阻率的变化，从低温度开始，如果是本征半导体即高纯度，电阻率随温度升高单调下降，但是如果电阻率出现先下降后上升然后再单调下降的话就是高补偿（参照半导体物理书上给出的掺杂半导体电阻率与温度的曲线）。这个答案大家也就总结如此，理论上

稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors, DMS）是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素（transition metals, TM）取代后形成的磁性半导体。因为一般掺入的杂质浓度不高，磁性比较弱，因

接触抑制是将多细胞生物的细胞进行体外培养时，分散贴壁生长的细胞一旦相互汇合接触，即停止移动和生长的现象。细胞增殖到一定程度，也就是互相挨在一起的时候，糖蛋白识别了这种信息，就会使细胞停止继续繁殖,这种现象就叫做接触抑制。细胞膜上有糖类和蛋

UVA：波长最长的一种紫外线，不被大气层顶端的臭氧层吸收，可以穿透真皮层，比UVB更能深入皮肤，使皮肤晒黑，并导致脂质和胶原蛋白受损，引起皮肤的光老化甚至皮肤癌，所以UVA不但会激发色素合成而使肤色“变黑”，更是造成皮肤“老化”及细纹产生的

PR 是FAB工艺中曝光使用的光刻胶简称全称是Photoresist，其实在半导体行业都是需要光刻的，PR是光刻胶的统称 有很多种，成分也不一样，性质也各有区别，分为正向光刻胶 负向光刻胶碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）

在半导体工艺中，硫酸常用于去除光刻胶和配制洗液等。清洗中主要利用其强酸性、氧化性来解脱吸附在硅片表面的金属和无机物。浓硫酸不仅能与金属活动表中氢以前的金属作用，而且在加热条件下还能与金属活动表中氢以后的金属铜、汞、银等金属发生氧化还原反应。