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三星投资60亿美元7nm EUV工厂动工 后者骁龙芯片可能诞生于此
据报道,三星投资60亿美元建设的新的半导体工厂已经破土动工,此工厂主用于扩充7nm EUV的产能,有人猜测后者的骁龙芯片将可能会在这里诞生。2月23日消息,三星在官网宣布,投资60亿美元(约合人民币3
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台积投资加大封装的扩产 7纳米强化版极紫外光技术进入量产
台积电同步在中科和南科扩大投资,预料未来几年,仍是带领台湾半导体产业持续产值扩大的领头羊,依台积电每年投入的资本支出逾百亿美元,台湾设备厂包括盟立、家登、弘塑、辛耘、京鼎、翔立、帆宣等,可望随台积电壮
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台积电宣布其7纳米制程进入量产 并透露了5纳米节点的首个时间表
持续同时朝多面向快速进展的晶圆代工大厂台积电(TSMC),于美国硅谷举行的年度技术研讨会上宣布其7纳米制程进入量产,并将有一个采用极紫外光微影(EUV)的版本于明年初量产;此物该公司也透露了5纳米节点
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2016年EUV降临 半导体格局生变
在9月份召开的“SEMICON Taiwan 2014”展览会上,ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露,第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。郑国伟同时指出,ASML的EUV设备近期取得惊人突破
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芯片突破摩尔定律?英特尔说EUV光刻技术可做到
据美国科技博客BusinessInsider报道,在近50年的科技发展中,技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中,英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。摩尔定律是由英特尔联合创始人Go
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三星 SAFE计划现在已可提供与Synopsys的Lynx设计系统兼容的经认证
Synopsys宣布,Synopsys Design Platform已通过全球领先半导体技术企业三星电子的工艺认证,支持三星代工部门的8nm LPP(低功耗+)工艺。Synopsys Design
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ASML:预计2015年可发布首款量产型EUV机台
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x纳米节点后将面临物理极限,遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中
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14纳米工艺节点会给设计带来哪些挑战?
实现14纳米芯片生产可能会比原先想象的更困难,出席国际物理系统研讨会(ISPD)的专家指出。ISPD是全球下一代半导体设计师荟萃的年会。半导体缩微过去通常可实现更小、更快的芯片,因为时钟速度和电源电压
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摩尔定律在14nm节点上迎来大挑战
2012年度国际电子元件大会(IEDM)于美国时间12月10日在旧金山登场,与会专家表示,半导体制程迈向 14奈米节点时,可能无法达到通常每跨一个世代、晶片性能可提升30%的水准,甚至只有一半;但仍会
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深入探究20 nm技术的发展前景和挑战
在一类产品发售之前,还没有一种半导体工艺像20 nm节点这样引起这么大的争议。争论在于,节点是否应该等待即将投产的EUV光刻法。它并没有:双模式的布板虽然昂贵而且有局限,但是满足了高分辨率掩膜层的需求
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浸润式微影技术强势晋级,EUV技术可有出头日?
当193纳米微影技术在半导体制程技术蓝图上已经接近终点,下一代应该是157纳米微影;德州仪器(TI)前段制程部门经理Jim Blatchford虽然才刚完成采购先进157纳米微影系统的协商,他还是有点
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7纳米制程竞争激烈 台积电3月领先量产
延续7纳米制程领先优势,台积电支持极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产,而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。据了解,独家提供
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梁孟松:中芯国际12nm工艺研发获得突破,2018年销售收入达33.6亿美元
编者按:据SEMI统计显示,目前中国大陆共计有27座12英寸晶园厂,18座8英寸晶园厂,其中有10座12英寸晶园厂及6座8英寸晶园厂处于建设之中。中芯国际作为国内晶圆代工的龙头企业之一,加强研发是增强
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ASML声称:EUV设备最快会在2016年推出
电子发烧友网讯:光刻设备厂商ASML Holding NV的CEO Eric Meurice 宣称该公司已经投入到下一代元紫外线光刻技术(EUV)设备的研发中,同时保证其生产能力能够达到客户的需求。大
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Intel的7nm基于EUV光刻技术有望2020年底推出 10nm或将成为Intel最短命的一代制程
原定2016年底量产的10nm拖到了2019年底,Intel目前仅敢在公开市场拿出Cannon Lake家族的“独苗”i3-8121U撑门面。可是它仅仅双核设计,甚至连核显还给屏蔽了,足见产能的尴尬。
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三星首曝基于EUV技术的7nm工艺细节
本周在火奴鲁鲁举行的VLSI(超大规模集成电路)研讨会上,三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久,终于在2018年看到曙光,三星称风险试产年底启
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极紫外(EUV)光刻新挑战 光刻胶只是其一
随机变化需要新方法、新工具,以及不同公司之间的合作。极紫外(EUV)光刻技术正在接近生产,但是随机性变化——又称为随机效应正在重新浮出水面,并为这项期待已久的技术带来了更多的挑战。GlobalFoun
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英特尔10nm设计规则初定,EUV技术恐错过良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点,此一计划预计在2013下半年实现。同时,这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技
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长鑫存储首次公开亮相谈DARM技术的未来
自长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生于五月在上海举办的GSA峰会上披露了公司DRAM的技术来源之后,大家对这家本土DRAM破局者的技术路线和未来发展充满着好奇。在今日于深圳举办的中国闪存技术峰会上,长鑫