• GaN 器件的封装结构设计

    近年来,半导体技术发展迅速,集成电路产业规模不断扩大。5G 时代的到来,对射频器件所用半导体材料提出了新要求。氮化镓(GaN)由于其大禁带宽度和高饱和电子迁移率成为该领域的新兴材料,在大功率、射频、高

    2022-8-1
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