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40纳米级动态存储芯
技术
三星电子推出40纳米级动态存储芯片
三星电子推出40纳米级动态存储芯片据韩国《中央日报》报道,世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块,并计划从4月开始生产该产品。40纳米(10亿
梯形的面积公式
2022-8-2
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