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PCB外层电路的加工蚀刻工艺综述
目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。要注意的是,这时的板
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印制电路进行蚀刻工艺时出现的常见问题解析
1.问题:印制电路中蚀刻速率降低原因:由于工艺参数控制不当引起的解决方法:按工艺要求进行检查及调整温度、喷淋压力、溶液比重、PH值和氯化铵的含量等工艺参数到工艺规定值。2.问题:印制电路中蚀刻液出现沉
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采用可控湿法蚀刻速率的AlGaNGaN的精密凹槽 华林科纳
引言宽带隙氮化镓(GaN)优越的电子、化学、热和机械性能吸引了人们对开发功率开关器件和下一代半导体传感器的极大兴趣。通过对薄(20~30 nm) AlGaN的凹槽刻蚀,可以实现AlGaNGaN高电子
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半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁
关键词晶圆清洗 电气 半导体引言半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初,人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。作为
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多磷酸蚀刻剂的化学特性
摘要在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正磷酸浓
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关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告
摘要我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形被划分为
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关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告
摘要本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格
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面向下一代封装技术的超细线蚀刻工艺
低成本的高密度互连(HDI)有机衬底是实施系统级封装(SOP)技术的最重要条件。问题的关键在于:必须在FR4这样的有机板上蚀刻出间距极小的超精密走线。NEMI、SIA、IPC和ITRI研究机构的报告表
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PCB外层电路的蚀刻工艺
一.概述 目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。
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超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告
我们华林科纳在这项工作中,超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层,通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层,发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构,用这种方法可以制作品质因数高得多的
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使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)
引言我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意非球面。我们讨论了决定成形零
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使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)
接上回的实验演示实验演示 非球面的制造包括以下步骤:1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移;2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑;3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀刻以形成非球面表面。我