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  • 碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法 技术

    碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

    摘要本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间或者

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    2022-8-3
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