帮你找了几篇类似综述一样的文章，要的话联系我吧（点我可见）。【篇名】有机半导体研究进展 CAJ原文下载PDF原文下载【作者】袁仁宽. 沈今楷. 孔凡.【刊名】固体电子学研究与进展2003年01期编辑部Email《中文核心期刊要目总览》来

真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。我们通常所确定的能级位置，是以真空能级作为势能参考点，根据电子的能量得到的。作为参考点，当然认为是恒定的，这对于单一的材料，是非常肯定的。功函数：真空能级与费米能级之差。对于某个半导体，

不一样,杂质能级是引入的杂质构成的能级,对于p型半导体,杂质能级可能构成施主能级,介于费米能级和价带顶之间,而对于n型半导体,杂质能级为受主能级,介于费米能级和导带底之间.费米能级的物理意义是,该能级上的一个状态被电子占据的几率是12.浅

根据产品的芯片结构在纸上绘制，按照标准的线路进行绘画即可。结构框架图是指以模块的调用关系为线索，用自上而下的连线表示调用关系并注明参数传递的方向和内容，从宏观上反映软件层次结构的图形，结构图分建筑图和组织结构图。集成电路（integrate

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率

根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计率。对于一个能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率为f(E)称为电子的费米分布函数。式子中的称为费米能级或费米能量，它和温度、半导体材料的导电类型、杂质含量以及能量零点的选取有关。

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小

费米分布函数，就是那个抛物线的图像，F（E）=1[1+exp((E-Ef)kt)]这是一个概率分布，当能量为跟Ef一样的时候，刚好就是分布概率为二分之一，所以你知道E就好了，但是导带和价带是不一样的，你最好还是看看书吧说起来很复杂。费米

单极性半导体只有 P 型或 N 型半导体组成，如场效应管，只有一种载流子 —— 多数载流子参与导电。而二极管、三极管是由 P、N 两种半导体组成，同时存在多数载流子电流与少数载流子电流。费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导

1、概念不同：能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同：能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u&gt0的部分称为正向特性。反向特性：u&lt0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向

M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。平带电位是负电子伏特与费米能级的积是测量费米能级表

EXP全称Exponential(指数曲线)，EXP也只有一个设定值，同时作用于两端并且双向对称，但是这个参数是不会改变(舵机)最大行程，它的作用是将原先的遥杆与舵量的直线关系转换为指数曲线的关系，改变遥杆在中点至上下12位置内与12到

磷有三种同素异形体白磷，红磷，黑磷 。其中，白磷、红磷不导电，这是常见的磷的形态，因此一般说磷不导电的 。但是黑磷（不常见）有类似石墨的结构，因此可以导电。黑磷（金属磷）：黑色有金属光泽的晶体，在磷的同素异形体中反应活性最弱，在空气中不会点

金属与半导体之间的接触势垒是"肖特基势垒".它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区（耗尽层）和接触势垒；它与其他半导体之间的接触不一样之处是：它的空间电荷区（耗尽层）在金属的一侧特别薄.接触势垒

这个可以用作图法用这个公式在excel里做个图with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实

费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半导体。但

1.判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直