最简单的方法是按Ctrl+E打开菜单编辑器，然后设置个菜单项为退出什么的，设置其快捷键为Ctrl+D，勾选掉“可见”属性（如果是“不可见”属性请勾上）。然后运行就可以了。还有的方法：（代码）方法①：PrivateSubForm_KeyDow

这个比较简单的&ltspan id="showmsg"&gt&ltspan&gt&ltscript language="javascript"&gtd

监听器（Listener）是servlet规范中定义的一种特殊类。用于监听servletContext、HttpSession和servletRequest等域对象的创建和销毁事件；监听域对象的属性发生修改的事件；用于在事件发生前后做一些

拉曼光谱仪的激发波长种类繁多，例如常规提供的波长有266nm,532nm,633nm,785nm,830nm,1064nm。面对如此繁多的激发波长应该如何选择呢？那么红外激发波长的优劣势？近红外的激发波长一般在700nm以上，常见的有785

CFL是紧凑形荧光灯的英文缩写，该种灯用的是“稀土三基色荧光粉”，简称三基色粉。LED是半导体发光管的英文缩写，该管用的是“LED荧光粉”，简称LED粉。它们都是荧光粉，就是能利用外界能量产生光，而自身不变的粉体。两种荧光粉的最大区别是“激

他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。直接带隙半导体电子跃迁时不需要释放或吸收声子（即晶格振动），而间接带隙半导体需要。而且声子的能量也是分立的，所以直接带隙半导体更容易跃迁。从激发说起。如果一种材料，它的导带底部和价带顶部的波

变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的

看电路的用途，正常来说是安全的，如果是高压，可能会产生辐射，但是一般都可以忽略。长期在电子厂车间工作，注意的是焊接电路时，不要吸入太多的焊锡时产生的烟，以及洗电路板时的防护。焊锡丝内有松香、洗板水有刺激性气味、助焊剂有化学成份，长期接触，对

首先说LED：LED：发光二极管 其有二极管的结构，即由pn结组成。正向偏置时，即电源正极接p端，负极接n端，由于电势能的作用（同性相斥异性相吸），位于n区的电子会往p区流动，位于p区的空穴会向n区流动，它们在相反方向的流动过程中会发生复合

是因为水中含有各种金属离子，比如说铁离子、镁离子、钙离子等，这些都是可以导电的。水本身存在弱电离平衡，即纯水中也有少量氢离子和氢氧根离子，当有氯离子，硫酸根离子等强电解阴离子，或者钠离子，钙离子强电解阳离子存在时，水的电解率会增大，导致载

检测苯气体有4种方式，半导体、电化学、PID光离子、色谱仪。半导体不稳定、电化学目前只有炜盛有这个传感器，可靠性还不知道。色谱仪比较贵，是非在线检测的。所以通常都用PID光离子方法检测。苯、二甲苯、甲苯这类气体用PID检测是非常不错的选择，

target reflection coefficient英[ˈtɑ:ɡit riˈflekʃən ˌkəʊəˈfɪʃənt]美[ˈtɑrɡɪt rɪˈflɛkʃən ˌkoəˈfɪʃənt]词典[医]靶反射系数数据来源：金山词霸双语例句百

半导体激光脱毛技术的优势如下： 1、去毛不伤皮肤：最佳的去毛效果所需要的激光脉冲时间与毛发的粗细有关，毛发越粗所需的激光作用时间越长，半导体激光的激光脉光冲时间从5秒毫至100毫秒，获得理想的脱毛疗效的同时，又能有效保护表皮不受热损伤。

半导体激光器的谱线宽度如果没有专门的控制的话，一般都比较宽，有些能到2nm左右。现在有些做拉曼用途的专门控制光谱线宽的，一般都在0.2nm左右！上海熙隆光电科技有限公司专业制作各种半导体激光器。半导体激光器的光谱线宽比气体激光器的要小，这是

光子学产生产生太赫兹的方法有太赫兹光电导天线，光学整流，非线性差频等。光子学产生太赫兹的原理是利用激光脉冲激发一些窄带隙的半导体，由于其表明激发的载流子分布的纵向非对称性，会引起宏观的电荷运动，从而激发太赫兹辐射。太赫兹科学技术是近十几二十

荧光是由于受激发，能量释放的一种途径，半导体材料分U和N型半导体，纳米微粒制备中由于条件不一样，晶核生长也不一样，微粒的晶型会有很大区别，或者哪一类晶型占主要，这个也是不一样的，所以纳米实验一定要有可重复性，另外，纳米颗粒粒径的大小也会影响

从激发说起。如果一种材料，它的导带底部和价带顶部的波向量k不同，说明它是间接禁带半导体。这种材料在外来激发能量仅稍大于禁带宽度时的吸收系数较低，所以电子从价带顶激发到导带底的效率较低。同理它的发射效率也较低（不是不能）。如果外来激发能量较大

从激发说起。如果一种材料，它的导带底部和价带顶部的波向量k不同，说明它是间接禁带半导体。这种材料在外来激发能量仅稍大于禁带宽度时的吸收系数较低，所以电子从价带顶激发到导带底的效率较低。同理它的发射效率也较低（不是不能）。如果外来激发能量较大

磷光是一种常在掺稀土无机晶体和有机分子晶体中观察到 迷人的光电子现象， 在光信息存储、彩色显像和生物剂量学等方面具有很大的潜力。近日，来自中山大学等单位的研究人员通过X射线激发，在AlN单晶闪烁体中发现了超长本征磷光(&gt200