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STW55NM60ND
技术
STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品
产品特性:600V N沟道MOSFET晶体管导通电阻:0.060欧姆,低损耗TO-247封装最大漏极电流达到51A恢复时间短应用范围:再生能源控制器以能效为中心的应用环境意法半导体推出快速恢复MOSF
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2022-9-28
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