MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截

【摘要】本文根据某产品单板电路测试过程的浪涌电流冲击问题，详细分析了MOS管缓启动电路的RC参数，通过分析和实际对电路参数的更改，使电路的浪涌电流冲击满足板上电源要求。一、问题的提出某通信产品电路测试

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回

硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心将电源正负极接反的现象，导致很多电子元器件都烧毁，甚至整块板子都废掉，还得再焊接一块，不知道有什么好的办法可以解决？首先粗心不可避免，虽说只是区分

作为一名硬件工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的同学对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却

大家好，欢迎回到DCDC电源空间站。上一期我们介绍了MOSFET在电源转换器中的应用小知识，这一期我们将继续介绍与其紧密相关的MOS管驱动，希望对大家有所帮助：-MOS管驱动 -(MOSFET Dri

我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下Nmos管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到33V，N管才会

4. 电源良好指示a. PG灌电流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA；Sink Current即灌电流的意思，是数字电路的表示方式，电流方向指向芯片IO，与Souce

一些电池供电的设备，工控类的一些现场终端设备等，在设计时都会有一个供电接口，对于这些需要直流供电的设备，在设计时一定需要考虑到其电源接反的情况，否则一但接反，有可能导致终端设备内部电路烧坏。对此需要设

我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V，我们来看一下电路是怎么搭建的。如图一示，我们来分析一下

在我们实际的应用当中最流行和最常见的电子器件就是常见的双极结晶体管BJT和MOS管。虽然BJT和MOS管是最流行最常见的元器件，但是在一些相对较高电流的应用场景中有时还是会受到限制。这个时候，我们的I

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大

荣湃半导体全新推出Pai8131Pai8171半桥驱动芯片，可广泛应用于电源模块、电机驱动和白色家电等多种场景。顾名思义，半桥是相对全桥定义的，即全桥电路中同一侧高边和低边所组成的一半，是一颗驱动芯

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。一、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该

说起开关电源的难点问题，PCB布板问题不算很大难点，但若是要布出一个精良PCB板一定是开关电源的难点之一（PCB设计不好，可能会导致无论怎么调试参数都调试布出来的情况，这么说并非危言耸听）原因是PCB

咱们做电子的，几乎都会用到MOS管，也遇到过MOS管炸裂的情况。小功率MOS炸裂时，没什么感觉，大功率就不一样，震耳欲聋，感觉在以命相搏。其实很多时候，炸管的原因就是驱动问题。下面就给大家分享一下MO

电池电压一般是在12V以下，我们就将其看作12V。19V电源呢，我们也可以当作一个大电池，那么一个19V的电池和一一个12V的电池如下相连，导线中电流会是多少呢？

本期内容效率优化一直是电源设计中的一项重要工作，高效率不仅能够降低电源转换过程中的损耗，节约能源，还能减少发热，减小电源的体积。今天我们就为大家分享——在电源设计过程中，如何恰当选择上下 MOS 管的