什么是内存的CL值?

什么是内存的CL值?,第1张

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。

在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。

扩展资料:

CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了,而是1个时钟周期。

工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3更优秀的性能。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了内存PCB板上的一块EEPROM上,这块芯片就是SPD。当系统开机时,主板BIOS会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2还是CL=3来运行。

参考资料来源:中关村在线——CAS Latency

CL是CAS Latency的缩写,是内存性能的一个重要指标,是内存纵向地址脉冲的反应时间。

当电脑需要向内存读取数据时,在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”,而“缓冲期”的时间长度,就是这个CL。

内存延迟表示系统进入数据存取 *** 作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“3-4-4-8”。其中第一个数字表示内存读取数据所需的延迟时,即常说的CL值。

CL设置较低的内存

具备更高的优势,这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式,总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间(tAC)。

存取时间(tAC)的概念,tAC是Access Time from CLK的缩写,是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟,是以纳秒为单位的,与内存时钟周期是完全不同的概念,虽然都是以纳秒为单位。存取时间(tAC)代表着读取、写入的时间,而时钟频率则代表内存的速度。

以上内容参考:百度百科-内存延迟

分类: 电脑/网络 >>硬件

解析:

CL叫做“延迟”,是越小越好,但是对于使用没有明显的感觉。

CL=2说明内存的延迟是2个CPU周期,CL=3就是3个CPU周期。


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