海力士和海士力有什么区别？

海力士：HYNIX，前身是现代电子，韩国企业。1983年现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。\x0d\\x0d\海士力：HISNY，中海科技所属品牌，中海科技，中国企业，是DRAM内存模组供应商之一。\x0d\\x0d\二者区别：\x0d\Hisny（海士力）内存品牌是中海公司在国家工商总局正式注册的商标，商标代码：ZC5222801SL。\x0d\\x0d\HYNIX是全球第二大DRAM厂商，是韩国著名电子企业，在中国无锡设有工厂。\x0d\\x0d\Hisny、HYNIX不是同一产品，更不属于同一个公司。但是，Hisny（海士力）内存很多情况下也使用HYNIX芯片。 \x0d\\x0d\HYNIX是全球大厂，真正的HYNIX芯片产品质量非常可靠。受众多HYNIX仿冒产品的冲击，很多用户误认为HYNIX是一个质量较差的品牌，这是一个严重的认识误区。 \x0d\\x0d\总之：Hisny（海士力）和HYNIX（海力士）属于两个不同的品牌，并且没有任何关系。

Hynix
海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
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SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1

据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

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SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 24Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

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7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

海力士内存就是韩国现代内存 Hynix , 目前也属于全球前五大内存厂商，产品在品质，可靠性等方面在三星，MT,ELPIDA 之下，但还是很不错的。

海力士内存条评测：

Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的 现代 内存,2001年更名为海力士代表理事：权吾哲()。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购 LG 半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

海力士2GB DDR4 2400

海力士2GB DDR4 2400是一条台式机专用内存条，内存容量为2G，内存类型为在传输速率上有着不错表现的DDR4，在应用过程中能获得比DDR3更加快的体验。另外内存主频达到了2400MHz，较为我们常见的1600MHz来说，处理更为迅速。针脚数为240pin，插槽是DIMM的，工作电压为12V，如果要自行diy的朋友可要注意这些数据，以防买来了不适用。

2海力士2GB DDR3 1066

海力士2GB DDR3 1066是一款用于笔记本上的内存条，内存容量为市面上常见的2G，内存为DDR3的类型，一个主流的内存条。内存主频为1066MHz，比较一般，传输标准上采用的是PC3-8500的协议来进行数据的传输，针脚为204pin。参数上可圈可点。

3海力士128MB SDRAM PC133(4片)

海力士128MB SDRAM PC133(4片)是一条台式机内存条，不过这个条子有一定的年龄了，128MB的内存容量已经不能满足现代人们的需求了，但是在那个技术还相对落后的年代里，内存是海力士的天下，在市场上销售火爆，以至于有许多冒牌假条以海力士的商标到处造谣撞骗。

海力士内bc711缺点是缓外差
SK海力士半导体(中国)有限公司，法定代表人：
李锡熙(LEE SEOK HEE)，注册资金：
319586万美元，地址：
中国江苏省无锡高新区综合保税区K7地块，经营范围：
生产、加工和销售8英寸和12英寸集成电路芯片，主要产品为011微米及以下线宽的存储器、消费类产品。

你问的是MRAM的优势与劣势吗？
MRAM优势分析：MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本；CPU的性能要想进一步提高，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大（看看Intel Core处理器的架构图就知道了，NVIDIA也曾攻击Intel说他们的芯片其实在卖没技术含量的缓存而已）；在这方面IBM和希捷在2009年的HPCA（高性能计算机体系结构国际研讨会）上公布过有关L2缓存使用MRAM的研究成果，首先设定一个模型，使用65nm COMS工艺制造SRAM和MRAM，同样的面积下后者的容量可达前者四倍，如果转换成存储cell，那么MRAM的cell数大约是40，而SRAM则是146。
MRAM的不足：写入性能下降；MRAM技术也不是没有死穴，写入性能下降就是一例。模拟结果表明，MRAM的写入速度下降了12-19%，整体的IPC指令性能下降了3-75%左右；sram的延迟约为2264ns，而MRAM则有11024ns，是前者的5倍多；写入数据时功耗增加也是MRAM的不足之一，SRAM写入过程只消耗0797nJ（纳焦），而MRAM需要4997nJ，是前者的6倍多。不过待机时就不一样了，2MB SRAM需要2089W功耗，而8MB MRAM只需要0255W，压倒性的胜利；MRAM具有可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军及太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。

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