怎么查询自己电脑内存条是ddr1还是ddr2?

EVEREST可以
另外如果不用软件,只要知道主频大体也能知道
1代最高400的,2代最低533的
某些主板开机显示内存频率,如果不显示,进入cmos设置里也可以看到,看SPD项
至于那个软件
>问题一：内存标签怎么看 5分 256MB 代表内存容量
1Rx16 代表内存芯片的规格
PC2 代表DDR2
4200U代表带宽
444代表CL值参数
祝你愉快

问题二：如何通过内存条上的标签看出内存的容量和频率等信息？如图所示。

问题三：内存条上的标签怎么看内存规格 512m 是内存容量
PC2-5300是DDR2 667
555-12是指5-5-5-12内存时序参数
2R16大概是说双面16颗内存颗粒

问题四：内存条上的标签是什么意思？求大神指导 对使用者来说，几个有用的信息。
ADATA：威刚品牌
DDR3 1600：内存规格，第3代DDR内存，频率1600MHz，与PC3-12800是一个意思。
4GB：容量大小4G

问题五：从这条金士顿内存条的标签上可以看出什么？ DDR3 1600 4G 15V标准电压

问题六：内存条的标签上判断型号 记忆科技 2g ddr2 800

问题七：从这条金士顿内存条的标签上可以看出什么？ 应有以下信息：
一、中国大陆组装，进口颗粒；
二、标称电压15V，为DDR3内存；
三、型号KVR16N，可以看出内存频率1600MHz；

左边是防伪信息或出厂编号，可以进官网查询对照。

问题八：请问内存条上的标识意思？ 1GB：表示该内存容量是1G
2RX8：表示该内存双面颗粒，每面8块颗粒。
PC2-5300S：表示该内存是DDR2 667 的规格
555-12：内存的延迟大小，数字越小，表示内存延迟越小，相对来说，性能越高。
下面的序列号厂商识别用，普通的消费者就没必要了解了。

问题九：电脑内存条上面的标签标注的都是什么意思，这个内存是DDR2还是DDR3的？帮忙分析一下。 这是DDR2/800的内存条，容量2G。

问题十：内存条标签上的字都是什么意思啊 容量4G 单面 DDR3L 低电压版 1600频率
1521是生产序号

1、内存代数

内存代数指的是第几代的内存技术标准，比如：DDR4指的就是DDR第4代内存。一般情况下，代数越高，性能越好。主板一般只支持某一代的内存，所以，千万要看清楚主板支持的内存代数。

2、内存频率

内存频率是决定内存性能的重要参数。一般情况下，频率越高，性能越好。但主板一般有一个支持的频率范围。如果是新购电脑，尽量选用性价比最好的频率。如果是扩容，则尽量和旧内存条一致。因为双通道技术要求相同工作频率，高的工作频率会被降频使用。

3、最大内存容量

内存最大容量是指主板支持的总共内存容量。一般支持的越大，将来扩容肯定越好。在选购内存时，一定要计算一下现有内存和新买内存的总和不能超过这个总量。

选购的角度来说：

1、确定好自己需要的容量，从现在这个时间点来说，两条8g内存，也就是16g内存。

2、日常办公，游戏，影音的角度来说，2666频率的内存，跟3600频率的内存，你几乎用不出差别，所以在频率这块，不用盲目上，在16g内存双通道（8g2）的情况下，性能差别不会超过5%

3、如果对于内存频率的数值上有一定追求，那么在选用高频率内存条的同时，内存条的工作时序，这个数值越小，内存的数据交互能力越强。

4、关于内存电压，除非是需要自己手动超频，一般不需要特别关注。

DDR 400MHZ、533MHZ是一代内存
DDR 667MHZ、800MHZ是二代内存
DDR 1066MHZ、1333MHZ、1600MHZ、1866MHZ、2133MHZ是三代内存
你要是想在电脑上再加一条内存卡的话必须和你原来的内存条是一代的，否则插槽进不去，品牌上没什么要求，其实我觉得你这电脑应该也很老了，现在买一代的内存条应该也挺贵的，现在都用DDR3的了，你那个都已经不生产了，电脑要是能对付用就先用着吧，加了内存条你处理器的速度跟不上的话加了内存条也起不到什么作用！

要确定电脑（主要是主板）是否支持某种类型的内存，有下列三种基本方法：

1、查看主板说明书：主板说明书会详细列出主板各种规格参数，其中就包括支持的内存类型、插槽数量、最大内存数量等等。如果没有主板说明书，也可通过网络登录主板厂家官网查询，或以主板型号作为关键词进行网络搜索，以获取内存支持信息。

2、查看主板内存插槽：最直接的确定方法就是关机后打开电脑机箱，直接观察主板上的内存插槽。不同型号内存金手指上的缺口是对应插槽上的金手指缺口位置是相同的，对照尺寸用尺子量一下就能确定。而且某些主板内存插槽附近还会印上支持的内存型号信息。

3、通过软件检测内存型号：如果已经组装成一台完整电脑，那就可能运行如鲁大师之类工具对电脑硬件进行检测，以确定主板支持的内存型号。如下图所示：主板支持的内存类型为DDR3，频率为1600MHZ。

注意事项：以上均以台式机内存为例讲解，笔记本内存型号的确定方法与之类似。

存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写 *** 作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。

内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）10---12版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或65，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为12版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）12b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为12；g代表修订版本，如2代表修订版本为12；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为20）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、33V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少75ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为20。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为10）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=25；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表75ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为10。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（75=75ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，75是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有036mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV12版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV11版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=02微米33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，02微米33V
Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=33V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[33V]、L=DDR SDRAM[25V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [156μs]、1 = 32m/2
[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。
（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。
（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

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