对分压式偏置放大电路式子UBE=VB-VE=VB-REIE正确理解是什么？

如果VE=VBE+VE成立，则UBE的电阻（假设RBE)与RE应为串联关系，--------则有UEB与RE中的电流相同。
这里就错了。
因为它不是简单的串并联关系，这是一个混联电路。
一路由B到E，加一路由C到E。Ie=Ib+Ic
UBE=VB-VE=VB-ReIe
书上的解答是对的。

分压偏置共射放大电路Q点计算；

通常，知道 Ue，Ub 就知道了啊；

1）如果只知道三极管的 β，那么就先计算出 Ib，这样 Ic，Ie 就得到了；

则 Ucq、Ubq，Ueq（Re>0时）；

2）如果已知 Ic，Ie，就可以求出 Ucq，Ueq；

题目中缺一个晶体管用的材料这个条件，如果是锗半导体材料的晶体管，基极－发射极电压约025V（常按03V计算），硅材料半导体晶体管基极－发射极电压约065V（常按07V计算）

下面按硅晶体管考虑计算：

由RB1、RB2分压比是4/1，和电源电压是25V得知基极电位约5V，则发射极电压约43V，发射极电阻为15kΩ，

则发射极电流约为287mA，

基极电流＝发射/（β＋1）＝404μA，

集电极电流＝发射极电流－基极电流＝283mA，

UCE＝25V－287mA×15kΩ－283mA×33kΩ＝1136V

题目中缺一个rbe（发射结电阻）条件，所以不能计算电压放大倍数。该参照不能凭计算得到，就象β一样，由晶体管型号和规格给定，也可以通过实验测量得到。在题目中应该作为已知条件给定。否则可能无法计算电压放大倍数。

但是如果电路中没有Ce，则　电压放大倍数≈集电极电阻/发射极电阻，有了发射极电容时就不能这样估算了。

注意：现在网上有一种错误计算方法，就是 rbe＝发射结导通电压÷基极电流。实际上rbe比这样计算出来的电阻小得多。理论上只有基极电流极大时才可以近似相等。因为晶体管发射结是非线性器件，非线性器件的电阻要用 r＝dU/dI 来计算，也就是说，在不同的基极电流情况下，rbe是不同的。见下图：

这是晶体管基极－发射极的输入特性曲线，非常明显用Ube/Ib计算出的Rbe与rbe相差很大。电阻其实在U/I坐标图中就是曲线上各点的余切值，垂直的线电阻为0，水平的直线电阻为∞，而45°的直线就是1，电流的单位是μA，那就是1MΩ，说明rbe和Rbe的角度差一点就可能相差数kΩ至数百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe。除非基极电流非常大时两条线才接近平行。

先求IEQ,基极点位VBQ=1210/57= 21V
硅管发射极压降07V,VEQ=21V-07V=14V,ICQ=IEQ=VEQ/Re=28mA,β=40,IBQ=VEQ/β=VCQ/β=70uA,UCEQ=12-IEQ（Re+Rc）=22V

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