1DS18B20简介
（1）独特的单线接口方式：DS18B20与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。
（2）在使用中不需要任何外围元件。
（3）可用数据线供电，电压范围： 30" 55 V。
（4）测温范围：-55 " 125 ℃。固有测温分辨率为05 ℃。
（5）通过编程可实现9"12位的数字读数方式。
（6）用户可自设定非易失性的报警上下限值。
（7）支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在惟一的三线上，实现多点测温。
（8）负压特性，电源极性接反时，温度计不会因发热而烧毁，但不能正常工作。DS18B20是温度传感器，读写数据有一定的时序：
1、写 *** 作
（1） 数据线先置低电平“0”。
（2） 延时确定的时间为15微秒。
（3） 按从低位到高位的顺序发送字节（一次只发送一位）。
（4） 延时时间为45微秒。
（5） 将数据线拉到高电平。
（6） 重复上（1）到（6）的 *** 作直到所有的字节全部发送完为止。
（7） 最后将数据线拉高。
2、读 *** 作
（1）将数据线拉高“1”。
（2）延时2微秒。
（3）将数据线拉低“0”。
（4）延时3微秒。
（5）将数据线拉高“1”。
（6）延时5微秒。
（7）读数据线的状态得到1个状态位，并进行数据处理。
（8）延时60微秒。
3、例程
//温度传感器：DS18B20
//显示方式：LED
#include <reg51h>
#define uchar unsigned char
sbit keyup=P1^0;
sbit keydn=P1^1;
sbit keymd=P1^2;
sbit out=P3^7;//接控制继电器
sbit DQ = P3^4;//接温度传感器18B20
uchar t[2],number=0,pt;//温度值
uchar TempBuffer1[4]={0,0,0,0};
uchar Tmax=18,Tmin=8;
uchar distab[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0x88,0x83,0xc6,0xa1,0x86,0x8e,0xff,0xfe,0xf7};
uchar dismod=0,xiaodou1=0,xiaodou2=0,currtemp;
bit flag;
void t0isr（） interrupt 1
{
TH0=（65536-5000）/256;
TL0=（65536-5000）%256;
switch（number）
{
case 0:
P2=0x08;
P0=distab[TempBuffer1[0]];
break;
case 1:
P2=0x04;
P0=distab[TempBuffer1[1]];
break;
case 2:
P2=0x02;
P0=distab[TempBuffer1[2]]&0x7f;
break;
case 3:
P2=0x01;
P0=distab[TempBuffer1[3]];
break;
default:
break;
}
number++;
if（number>3）number=0;
}
void delay_18B20（unsigned int i）
{
while（i--）；
}
/ds18b20初始化函数/
void Init_DS18B20（void）
{
bit x=0;
do{
DQ=1;
delay_18B20（8）；
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20（90）； //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_18B20（14）；
x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败，继续初始化
}while（x）；
delay_18B20（20）；
}
/ds18b20读一个字节/
unsigned char ReadOneChar（void）
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for （i=8;i>0;i--）
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat》=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if（DQ）
dat|=0x80;
delay_18B20（4）；
}
return（dat）；
}
/ds18b20写一个字节/
void WriteOneChar（unsigned char dat）
{
unsigned char i=0;
for （i=8; i>0; i--）
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
delay_18B20（5）；
DQ = 1;
dat》=1;
}
}
/读取ds18b20当前温度/
unsigned char ReadTemperature（unsigned char rs）
{
unsigned char tt[2];
delay_18B20（80）；
Init_DS18B20（）；
WriteOneChar（0xCC）； //跳过读序号列号的 *** 作
WriteOneChar（0x44）； //启动温度转换
delay_18B20（80）；
Init_DS18B20（）；
WriteOneChar（0xCC）； //跳过读序号列号的 *** 作
WriteOneChar（0xBE）； //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器）前两个就是温度
tt[0]=ReadOneChar（）； //读取温度值低位
tt[1]=ReadOneChar（）； //读取温度值高位
return（tt）；
}
void covert1（void）//将温度转换为LED显示的数据
{
uchar x=0x00,y=0x00;
t[0]=pt;
pt++;
t[1]=pt;
if（t[1]&0x080） //判断正负温度
{
TempBuffer1[0]=0x0c; //c代表负
t[1]=——t[1];/下面几句把负数的补码/
t[0]=——t[0]; /换算成绝对值/
x=t[0]+1;
t[0]=x;
if（x==0x00）t[1]++;
}
else TempBuffer1[0]=0;//A代表正
t[1]《=4;//将高字节左移4位
t[1]=t[1]&0xf0;
x=t[0];//将t[0]暂存到X,因为取小数部分还要用到它
x》=4;//右移4位
x=x&0x0f;//和前面两句就是取出t[0]的高四位
y=t[1]|x;//将高低字节的有效值的整数部分拼成一个字节
TempBuffer1[1]=（y%100）/10;
TempBuffer1[2]=（y%100）%10;
t[0]=t[0]&0x0f;//小数部分
TempBuffer1[3]=t[0]10/16;
//以下程序段消去随机误检查造成的误判，只有连续12次检测到温度超出限制才切换加热装置
if（currtemp>Tmin）xiaodou1=0;
if（y<Tmin）
{
xiaodou1++;
currtemp=y;
xiaodou2=0;
}
if（xiaodou1>12）
{
out=0;
flag=1;
xiaodou1=0;
}
if（currtemp<Tmax）xiaodou2=0;
if（y>Tmax）
{
xiaodou2++;
currtemp=y;
xiaodou1=0;
}
if（xiaodou2>12）
{
out=1;
flag=0;
xiaodou2=0;
}
out=flag;
}
void convert（char tmp）
{
uchar a;
if（tmp<0）
{
TempBuffer1[0]=0x0c;
a=——tmp+1;
}
else
{
TempBuffer1[0]=0;
a=tmp;
}
TempBuffer1[1]=（a%100）/10;
TempBuffer1[2]=（a%100）%10;
}
void keyscan（ ）
{
uchar keyin;
keyin=P1&0x07;
if（keyin==0x07）return;
else if（keymd==0）
{
dismod++;
dismod%=3;
while（keymd==0）；
switch（dismod）
{
case 1:
convert（Tmax）；
TempBuffer1[3]=0x11;
break;
case 2:
convert（Tmin）；
TempBuffer1[3]=0x12;
break;
default:
break;
}
}
else if（（keyup==0）&&（dismod==1））
{
Tmax++;
convert（Tmax）；
while（keyup==0）；
}
else if（（keydn==0）&&（dismod==1））
{
Tmax--;
convert（Tmax）；
while（keydn==0）；
}
else if（（keyup==0）&&（dismod==2））
{
Tmin++;
convert（Tmin）；
while（keyup==0）；
}
else if（（keydn==0）&&（dismod==2））
{
Tmin--;
convert（Tmin）；
while（keydn==0）；
}
xiaodou1=0;
xiaodou2=0;
}
main（）
{
TMOD=0x01;
TH0=（65536-5000）/256;
TL0=（65536-5000）%256;
TR0=1;
ET0=1;
EA=1;
out=1;
flag=0;
ReadTemperature（0x3f）；
delay_18B20（50000）；//延时等待18B20数据稳定
while（1）
{
pt=ReadTemperature（0x7f）； //读取温度，温度值存放在一个两个字节的数组中
if（dismod==0）covert1（）；
keyscan（）；
delay_18B20（30000）；
}
}首先, 你先检测一下DS18B20的供电电压是否满足数据手册的要求有没有过压 引脚接反的时候DS18B20是温度急速上升的,甚至可以闻到烧焦味,不过既然你确定了,那么可以忽略
其次, DS18B20显示的85度(还是80多少度)是个特殊的温度数值, 它代表两种含义, 1是你的器件 *** 作时序写错 2是芯片出问题
建议:从网络上搜索一个DS18B20的源程序, 改下引脚重新测试一下
1、DS18B20的主要特性
11、适应电压范围更宽，电压范围：30～55V，在寄生电源方式下可由数 据线供电
12、独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯
13、 DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温
14、DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部 传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内
15、温范围－55℃～+125℃，在-10～+85℃时精度为±05℃
16、可编程 的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为05℃、025℃、0125℃和00625℃，可实现高精度测温
17、在9位分辨率时最多在 9375ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快
18、测量结果直接输出数字温度信号，以"一 线总线"串行传送给CPU，同时可传送CRC校验码，具有极强的抗干扰纠错能力
19、负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁， 但不能正常工作。
2、DS18B20的外形和内部结构
DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM 、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。
DS18B20的外形及管脚排列如下图1:
DS18B20引脚定义：
(1)DQ为数字信号输入/输出端；
(2)GND为电源地；
(3)VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。
图2：DS18B20内部结构图
3、DS18B20工作原理
DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同，只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同，且温度转换时的延时时间由2s 减为750ms。高温度系数晶振 随温度变化其振荡率明显改变，所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被预置在－55℃所对应的一个基数值。计数器1对 低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数，当计数器1的预置值减到0时，温度寄存器的值将加1，计数器1的预置将重新被装入，计数器1重 新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数，如此循环直到计数器2计数到0时，停止温度寄存器值的累加，此时温度寄存器中的数值即 为所测温度。图3中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性，其输出用于修正计数器1的预置值。
图3：DS18B20测温原理框图DS18B20有4个主要的数据部件：
（1）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位 （28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用 是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
（2）DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以 00625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。
表1: DS18B20温度值格式表
这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0， 这5位为0，只要将测到的数值乘于00625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于00625即可得到实际 温度。 例如+125℃的数字输出为07D0H，+250625℃的数字输出为0191H，-250625℃的数字输出为FE6FH，-55℃的数字输出为FC90H 。
表2: DS18B20温度数据表
（3）DS18B20温度传感器的存储器 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL和结构寄存器。
（4）配置寄存器 该字节各位的意义如下：
表3：配置寄存器结构 TM R1 R0 1 1 1 1 1 低五位一直都是"1"，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用 户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）
表4：温度分辨率设置表 R1 R0 分辨率 温度最大转换时间 0 0 9位 9375ms 0 1 10位 1875ms 1 0 11位 375ms 1 1 12位 750ms 4、高速暂存存储器高速暂存存储器由9个字节组成，其分配如表5所示。当温度转换命令发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在 高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后，数据格式如表1所示。对应的温度计算： 当符号位S=0时，直接将二进制位转换为十进制；当S=1时，先将补码变为原码，再计算十进制值。表 2是对应的一部分温度值。第九个字节是 冗余检验字节。
表5：DS18B20暂存寄存器分布 寄存器内容 字节地址 温度值低位 （LS Byte） 0 温度值高位 （MS Byte） 1 高温限值（TH） 2 低温限值（TL） 3 配置寄存器 4 保留 5 保留 6 保留 7 CRC校验值 8 根据DS18B20的通讯协议，主机（单片机）控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行 复位 *** 作，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的 *** 作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后 释放，当DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。
表6：ROM指令表 指 令 约定代码 功 能 读ROM 33H 读DS1820温度传感器ROM中的编码（即64位地址） 符合 ROM 55H 发出此命令之后，接着发出 64 位 ROM 编码，访问单总线上与该编码相对应的 DS1820 使之作出响应，为下一步对该 DS1820 的读写作准备。 搜索 ROM 0FOH 用于确定挂接在同一总线上 DS1820 的个数和识别 64 位 ROM 地址。为 *** 作各器件作好准备。 跳过 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 发温度变换命令。适用于单片工作。 告警搜索命令 0ECH 执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应。 表6：RAM指令表 指 令 约定代码 功 能 温度变换 44H 启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为750ms（9位为9375ms）。结果存入内部9字节RAM中。 读暂存器 0BEH 读内部RAM中9字节的内容 写暂存器 4EH 发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据。 复制暂存器 48H 将RAM中第3 、4字节的内容复制到EEPROM中。 重调 EEPROM 0B8H 将EEPROM中内容恢复到RAM中的第2、3字节。 读供电方式 0B4H 读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送“ 0 ”，外接电源供电 DS1820发送“ 1 ”。 5、DS18B20的应用电路DS18B20测温系统具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点。下面就是DS18B20几个不同应用方式下的 测温电路图：
51、DS18B20寄生电源供电方式电路图如下面图4所示，在寄生电源供电方式下，DS18B20从单线信号线上汲取能量：在信号线DQ处于高电平期间把能量储存在内部 电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作，直到高电平到来再给寄生电源（电容）充电。
独特的寄生电源方式有三个好处：
1）进行远距离测温时，无需本地电源
2）可以在没有常规电源的条件下读取ROM
3）电路更加简洁，仅用一根I/O口实现测温
要想使DS18B20进行精确的温度转换，I/O线必须保证在温度转换期间提供足够的能量，由 于每个DS18B20在温度转换期间工作电流达到1mA，当几个温度传感器挂在同一根I/O线上进行多点测温时，只靠47K上拉电阻就无法提供足够的 能量，会造成无法转换温度或温度误差极大。
因此，图4电路只适应于单一温度传感器测温情况下使用，不适宜采用电池供电系统中。并 且工作电源VCC必须保证在5V，当电源电压下降时，寄生电源能够汲取的能量也降低，会使温度误差变大。
52、DS18B20寄生电源强上拉供电方式电路图改进的寄生电源供电方式如下面图5所示，为了使DS18B20在动态转换周期中获得足够的电流供应，当进行温度转换或拷贝到 E2存储器 *** 作时，用MOSFET把I/O线直接拉到VCC就可提供足够的电流，在发出任何涉及到拷贝到E2存储器或启动温度转换的指令后，必须在最 多10μS内把I/O线转换到强上拉状态。在强上拉方式下可以解决电流供应不走的问题，因此也适合于多点测温应用，缺 点就是要多占用一根I/O口线进行强上拉切换。
图5
注意：在图4和图5寄生电源供电方式中，DS18B20的VDD引脚必须接地
53、DS18B20的外部电源供电方式
在外部电源供电方式下，DS18B20工作电源由VDD引脚接入，此时I/O线不需要强上拉，不存在电源电流不足的问题，可以保证 转换精度，同时在总线上理论可以挂接任意多个DS18B20传感器，组成多点测温系统。注意：在外部供电的方式下，DS18B20的GND引脚不能悬空 ，否则不能转换温度，读取的温度总是85℃。
图6：外部供电方式单点测温电路
图7：外部供电方式的多点测温电路图外部电源供电方式是DS18B20最佳的工作方式，工作稳定可靠，抗干扰能力强，而且电路也比较简单，可以开发出稳定可靠的多点温度 监控系统。站长推荐大家在开发中使用外部电源供电方式，毕竟比寄生电源方式只多接一根VCC引线。在外接电源方式下， 可以充分发挥DS18B20宽电源电压范围的优点，即使电源电压VCC降到3V时，依然能够保证温度量精度。
6、DS1820使用中注意事项
DS1820虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点，但在实际应用中也应注意以下几方面的问题：
61、较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于DS1820与微处理器间采用串行数据传送，因此 ，在对DS1820进行读写编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。在使用PL/M、C等高级语言进行系统程序设计时，对 DS1820 *** 作部分最好采用汇编语言实现。
62、在DS1820的有关资料中均未提及单总线上所挂DS1820数量问题，容易使人误认为可以挂任意多个 DS1820，在实际应用中并非如此。当单总线上所挂DS1820超过8个时，就需要解决微处理器的总线驱动问题，这一点在进行多点测温系统设计时 要加以注意。
63、连接DS1820的总线电缆是有长度限制的。试验中，当采用普通信号电缆传输长度超过50m时，读取的 测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离可达150m，当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时，正 常通讯距离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此，在用DS1820进行长距离测温系统设计时要充分考 虑总线分布电容和阻抗匹配问题。
64、在DS1820测温程序设计中，向DS1820发出温度转换命令后，程序总要等待DS1820的返回信号，一旦 某个DS1820接触不好或断线，当程序读该DS1820时，将没有返回信号，程序进入死循环。这一点在进行DS1820硬件连接和软件设计时也要给予 一定的重视。 测温电缆线建议采用屏蔽4芯双绞线，其中一对线接地线与信号线，另一组接VCC和地线，屏蔽层在源端单点接地。
蓝牙通讯，是在串口通讯基础之上完成的，
先完成单片机驱动温度传感器，实现DS18B20的读取，
再进行串口通讯，实现和电脑串口收发数据，
加上蓝牙模块，实现无线传输正好我以前写过DS18B20的程序，现在共享给你。
我的单片机频率是8M，如果你的频率不同，请自己计算后把延时参数修改一下就可以了。
DS1820温度传感器单线总线读时间片
read: push r24
in r24,SREG
push r24
ldi r22,$FF
clr r23
out PORTB,r22 ;升高单线总线
out DDRB,r22 ;B口为输出口
out PORTB,r23 ;拉低单线总线
ldi r24,$05
read1: dec r24
brne read1 ;延迟10个时钟周期（大约125微秒）
out DDRB,r23 ;B口为输入口
ldi r24,$30
read2: dec r24
brne read2 ;延迟96个时钟周期（大约12微秒）
in r21,PINB ;读单线总线
ldi r24,$C8
read3: dec r24
brne read3 ;延迟400个时钟周期（大约50微秒）
pop r24
out SREG,r24
pop r24
ret
DS1820温度传感器单线总线写0时间片
write0: push r24
in r24,SREG
push r24
ldi r22,$FF
clr r23
out PORTB,r22 ;升高单线总线
out DDRB,r22 ;B口为输出口
out PORTB,r23 ;拉低单线总线
clr r24
wr0j1: dec r24
dec r24
nop
nop
brne wr0j1 ;延迟640个时钟周期（大约80微秒）
out PORTB,r22 ;升高单线总线
ldi r24,$07
wr0j2: dec r24
brne wr0j2 ;延迟14个时钟周期（大约175微秒）
out DDRB,r23 ;B口为输入口
pop r24
out SREG,r24
pop r24
ret
DS1820温度传感器单线总线写1时间片
write1: push r24
in r24,SREG
push r24
ldi r22,$FF
clr r23
out PORTB,r22 ;升高单线总线
out DDRB,r22 ;B口为输出口
out PORTB,r23 ;拉低单线总线
ldi r24,$07
wr1j1: dec r24
brne wr1j1 ;延迟14个时钟周期（大约175微秒）
out PORTB,r22 ;升高单线总线
clr r24
wr1j2: dec r24
dec r24
nop
nop
brne wr1j2 ;延迟640个时钟周期（大约80微秒）
out DDRB,r23 ;B口为输入口
pop r24
out SREG,r24
pop r24
ret
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