三极管饱和电压Uces如何确定？

uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。

uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。

此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。

三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。

三极管的主要参数：

特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。

fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。

电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

hFE：电流放大倍数。

VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。

PCM：最大允许耗散功率。

以上内容参考 百度百科-三极管

当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。

三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。 但三极管同样有截止区与饱和区，当发射结与集电结都正偏的时候，三极管处于饱和区，此时vce是个常数，即饱和压降，取0.2V～0.3V。

含义

VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。