SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

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据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

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SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 24Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

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7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

1、sk是斯洛伐克国家的缩写，The Slovak Republic，简称斯洛伐克，西北临捷克，北临波兰，东临乌克兰，南临匈牙利，西南临奥地利，是位于中欧的一个内陆国家。

2、SK是游戏博德之门最强大的存档修改器Shadow Keeper的简写，界面友好功能强大，玩家经常调侃称其为“艾斯凯大神”。

3、SK是韩国集团，SK集团由1953 年地方的一个小织物工厂开始发展，一直到今天成为了韩国经济生长的命脉 。从国家经济的基干产业到新时代的核心产业。

4、SK是日本护肤品牌，SK-II诞生于日本，是日本皮肤专家将尖端科技运用到护肤品开发中的完美结晶，是在东亚以及东南亚等地区深受欢迎的护肤品牌。

SK是韩国的SK集团，SK集团是生产能源的。

能源化工、信息通信是SK集团两大支柱产业，在能源领域，SK是韩国最大的综合能源化工企业。旗下的蔚山炼油厂是全球同行业最大的单一炼油工厂之一，每年可以生产4200万吨原油。

SK在节能、环保、运营方面的管理技术都很厉害，是世界炼油业权威评估机构索罗门认可的全球石化行业效率最高的企业。

扩展资料：

SK还是电讯领域的领跑者。1996年，SK在世界范围内首次成功实现了CDMA的商用，并实现了在世界首次推广25代CDMA 2000 1X服务和3代同步方式IMT-2000等移动通信方面的成功。SK电讯在第三代通讯技术CDMA 2000和WCDMA领域拥有多项成熟的应用经验与技术。

2019年，入选“2019福布斯全球数字经济100强”，排第60位。

参考资料来源：百度百科-韩国SK集团

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