DDR2的内存条和DDR3内存条性能上有什么差别？

DDR3 的最大传输速率是 DDR2 的800倍。
DDR3 的能耗是 DDR2 的50%。
DDR3 的稳定性比 DDR2 强150%。
目前已知垃圾的 DDR2 已经开始淘汰了，而 DDR3 是淘汰它的。
如果是新配电脑，一定要 DDR3 的高品质内存，坚决不要 DDR2 的垃圾淘汰货。
DDR3
针对Windows Vista的新一代内存技术（目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
DDR3
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从18V降至15V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：
1突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取 *** 作加上一个BL=4的写入 *** 作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断 *** 作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
3DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有 *** 作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新 *** 作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

普通服务器ECC UDIMM内存可以在家用电脑主板上使用，不过无法启用ECC功能。
REG ECC内存条则无法用于家用电脑主板，这种内存条的特点一般是具有ECC芯片，这种内存不适合家用平台的主板。
低电压内存指的是工作电压比标准电压内存低，比如标准电压的DDR4内存条是12V电压，而低电压的DDR4内存工作电压是105V，低电压内存条可以更省电更节能，一般用于笔记本平台或者移动平台，低电压内存大部分情况下可以和同代标准电压内存兼容，但是如果混搭内存则会提升到标准电压，所以最好还是原来是什么内存就搭配什么内存。

DDR3内存是指第三代DDR内存。
DDR内存是现代计算机广泛使用的内存类型，发展至今已经有DDR，DDR2，DDR3和DDR4四种，分别指第一代DDR内存，第二代DDR内存，第三代DDR内存和第四代DDR内存。现在应用最广泛的是DDR3内存。严格来说，这种内存的全称应为DDR SDRAM，意即双倍速率同步动态随机存储器。每一代DDR都是上一代产品的升级版本，其工作方式相同，最主要的提升就是速率的增加。
关于DDR内存的详细信息，可见百度百科的相关词条。

---