怎样看内存大小

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问题描述:

怎样从外面看内存大小

解析:

不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：

DDR SDRAM：

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR

SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V &

VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M

8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．

封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．

封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400

3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR

SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）

注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的

LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。

LGS的内存编码规则：

GM 72 X XX XX X X X X X XXX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、GM代表LGS公司。

2、72代表SDRAM。

3、V代表3V电压。

4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。

5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK

7、I／O界面：一般为1

8、产品系列：从A至F。

9、功耗：空白则是普通，L是低功

10、封装模式：一般为T（TSOP）

11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）

二、HY（现代HYUNDAI）

现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。

HY的编码规则：

HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、HY代表现代。

2、一般是57，代表SDRAM。

3、工艺：空白则是5V，V是3V。

4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。

5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；

7、I／O界面：一般为0

8、产品线：从A－D系列

9、功率：空白则为普通，L为低功耗。

10、封装：一般为TC（TSOP）

11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS

三、SEC（三星SAMSUNG）

做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。

SEC编码规则：

KM4 XX S XX 0 X X XT－XX

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。

2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

3、一般均为S

4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。

5、一般均为0

6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK

7、I／O界面：一般为0

8、版本号

9、封装模式：一般为T：TSOP

10、功耗：F低耗，G普通

11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。

四、MT（MICRON美凯龙）

美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。

MT48 XX XX M XX AX TG－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表美凯龙MICRON

2、48代表SDRAM。

3、一般为LC：普通SDRAM

4、此数与M后位数相乘即为容量。

5、一般为M

6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位

7、AX代表write Recovery(r)，A2则代表r=2clk

8、TG代表TSOP封装模式。

9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS

10、如有L则为低功耗，空白则为普通。

五、HITACHI（日立HITACHI）

日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！

HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HM代表日立。

2、52代表SDRAM，51则为EDO

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为5

6、产品系列：A－F

7、功耗：L为低耗，空白则为普通

8、TT为TSOP封装模式

9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）

六、SIEMENS（西门子）

西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。

HYB39S XX XX 0 X T X －X

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HYB代表西门子

2、39S代表SDRAM

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为0

6、产品系列

7、一般为T

8、L为低耗，空白为普通

9、速度：

6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS

七、FUJITSU（富士通FUJITSU）

富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。

MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、MB81代表富士通的SDRAM

2、PC100标准的多为F，普通的内存为1

3、容量

4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位

5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK

6、产品系列

7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS

八、TOSHIBA（东芝）

东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。

TC59S XX XX X FT X－XX

1 2 3 4 5 6 7 8

1、TC代表东芝

2、59S代表普通SDRAM

3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT

4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位

5、产品系列：A－B

6、FT为TSOP封装模式

7、空白为普通，L为低功耗

8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）

九、MITSUBISHI（三菱）

三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。

M2 V XX S X 0 X TP－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、M2代表三菱产品

2、I／O界面。一般为V

3、容量

4、一般为S，说明是SDRAM

5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位

6、一般为0

7、产品系列

8、TP代表TSOP封装

9、速度：

8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。

10、空白为普通，L为低耗。

M代表Memory，4代表DRAM，71代表内存模组类型。
根据中关村在线资料，三星笔记本内存条参数M代表Memory，4代表DRAM，71代表内存模组类型，B代表DDR3，需要注意的是，C的含义则是40nm。
三星笔记本是韩国三星集团旗下电子产品，适合移动娱乐和办公的笔记本电脑。

512MB:内存容量是512兆
1Rx8:有8个芯片粒
PC2:是台式机
4200U-444-12-D3:产品编号
Made in China:中国制造
M378T6553CZ3-CD5 0630 :出厂编号

用个鲁大师还是优化大师都行
查一下电脑硬件，找到内存条那一项
看看内存条是DDR几的
现在市场最新的是DDR3这种的话现在市面很多很便宜
DDR2现在还有一些机子用因为貌似要停产了，要买会贵些
DDR333
这种事最老的，是一代内存条了

很多人走知道怎么通过电脑查看内存条的大小，那么你知道怎样看外表辨别内存条的大小。不知道的话跟着我一起来学习了解看外表辨别内存条的大小的方法。

怎样看外表辨别内存条的大小

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns;70为 7ns;7B为75ns (CL=3);7C为75ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表25V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M(地址)×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-75——表示该内存的工作频率是133MHz;

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度;

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度;

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度;

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度;

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2;

-7——PC133 /CL=3;

-8A——PC100/ CL=2;

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。

HYUNDAI(现代)

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref);fg代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm

TSOP-II);no代表速度(7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕)。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100

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