大佬出手即王炸！三星推出DDR5 7200内存，单条就有512GB

随着Intel十二代酷睿离发布的时间越来越近，其他厂商也开始在配套的硬件上开始投入。对于新平台而言，除了处理器和主板之外，另一个不可或缺的就是内存了。尽管十二代酷睿同时支持DDR4和DDR5内存，但是显然要发挥整个平台最大的性能，那么一对DDR5内存是必不可少的。

之前三星、镁光、海力士都展示了自己的DDR5内存模板，十铨甚至还已经将自己的DDR5内存成品上市，不过频率都还比较低，和现在的高频DDR4内存相比没有太大的优势。不过现在世界内存第一大厂三星亲自出手了，对外公布了他们正在开发的8层TSV封装DDR5内存，不但内存频率超高，同时容量也很夸张。

现在的三星DDR4服务器内存是用4层TSV封装的，容量最高能达到256GB一根，而用8层TSV封装后，容量理论上是翻倍的，所以三星的DDR5内存最高能做到单根512GB的容量。如果按照传统的技术，封装层数越多，那么内存的高度也就越高，同时芯片之间的密度减小，并不利于散热。不过据说三星采用优化封装和薄晶圆技术，让DDR5内存的高度比DDR4内存更低，同时散热也有加强。

在频率部分，三星的DDR5内存现在已经可以达到7200MHz，这基本上是现在DDR4内存非常难达到的一个频率了，即便民间高手通过各种颗粒和手段超到接近的频率，但延迟已经非常高了。如果按照三星的说法，新的DDR5内存在性能上要比DDR4内存高出85%左右，更关键是这内存的工作电压只有11V，所以它会比DDR4更节能，未来如果有DIY玩家超频的话，那么DDR5内存的超频潜力也会更大。

虽然三星自己也会推出成品内存，但很显然这次三星发布的DDR5内存模块，更像是一个打样，未来应该会吸引其他内存厂商来采用三星的这套DDR5内存模块。而且必须要说的是，尽管容量和频率都达到了点DDR5内存的新高，但是三星这次的DDR5内存主要针对的是服务器市场，毕竟民用市场一般来说，DDR5内存单条64GB容量就差不多到顶了。

现在的DDR4内存，民用产品高的大概就32GB，插满四根能获得最高128GB内存的容量；不过未来如果用DDR5内存的话，插满应该会有256GB的容量。这应该会是服务器市场之外，民用电脑系统第一次能达到这么高的内存容量。

三星认为，尽管今年Intel会推出十二代酷睿，明年AMD也会推出Zen 4处理器，但是DDR5内存普及还是需要时间。所以三星预计会在2023年或2024年全面过渡到DDR5内存上，其实这个速度已经比当年DDR3过渡到DDR4快多了。至于三星自己，由于是内存行业的老大，所以三星不会等待，今年下半年就会量产DDR5 7200的模块。

1服务器内存主要是用来存储临时数据，做缓存用的。服务器系统本身所占的内存比较少，内存需要消耗的大小，取决于你服务器里跑的应用程序。
理论上来说内存越大越好，可以将更多的临时数据放到内存里面，避免直接读硬盘，毕竟读内存的速度要比读硬盘的速度快很多,但从经济的角度来看,够用就好了,
多了，服务器也用不上，放在那里浪费。
2制约服务器性能的因素，不同应用可能存在的瓶颈是不同的，有的要重点考虑处理器、内存，有的要重点考虑硬盘或网络的I/O吞吐能力;
通讯服务器(messaging/E-mail/VOD):快速的I/O是这类应用的关键，硬盘的I/O吞吐能力是主要瓶颈;
数据仓库(联机事务处理/数据挖掘):大型商业数据存储、编目、索引、数据分析，高速商业计算等，需要具有良好的网络和硬盘I/O吞吐能力;
数据库(ERP/OLTP等):服务器运行数据库，需要具有强大的CPU处理能力，大的内存容量来缓存数据，同时需要有很好的I/O吞吐性能;
其他应用:应用集中在数据查询和网络交流中，需要频繁读写硬盘，这时硬盘的性能将直接影响服务器整体的性能。
3如果楼主的服务器只是跑普通的网页程序的话，2G是绝对够用的，如果里面跑的应用系统比较多，
例如一部服务器里运行数据库，论坛，前台网站等等。而网站里面的，和视频比较多的话，就要根据服务器负担来适当增加内存。

呼之欲出的12代酷睿在年内发布已经成了板上钉钉的事儿，最明显的进步在于新制程带来的性能提升，但如果盼着12代酷睿的性能，那你的目光就有点狭窄了，除了性能之外，我们再来看看不一样的。

大核心和小核心的搭配在手机CPU上已经应用了很久，而且为用户提供了非常好的使用体验。大核心提供强劲的性能，在 游戏 和大型应用时提供更好的画质；小核心用低功耗完成一些对性能要求不高的工作。

性能核心和效能核心的分工设计

12代酷睿首次引入了大小核心的设计，也就是通过性能核心和效能核心的分工，让整体的能效更高。

针对不同使用平台的设计

虽然现有的CPU可以通过降频实现低负载的低功耗，但是PC端和移动端的处理器是分开的，有了分工明确的设计，未来不同产品上的CPU可以使用一种架构来实现，参考苹果的M1芯片，未来处理器有望在台式机和笔记本上实现更好的能效。

12代酷睿首发支持DDR5内存，意味着带宽提升，和DDR4 3200相比，可以提升87%之多，对于用户来说更快的响应速度也能节约更多时间，体现在用户这里就是 游戏 和应用读取更快了。

DDR5可以做到更大容量

超过16G的单片芯片密度意味着DDR5内存可以轻松组建出128G内存，而不需要用服务器主板或是昂贵的8槽主板。虽然大多数用户有16G容量就够用了，但对于内容创作以及影视工作来说可以更好地提升效率。

性能大幅提升

此外，DDR5内存预计速度可以达到4266至6400MT/s，频率可以达到7200M，同时电压降至11V，也意味着内存会有更大的发挥空间。

只有硬件升级肯定是不够的，英特尔就携手微软进行了系统和软件层面的优化，Windows 11 首次吸纳了英特尔的 bigLITTLE 架构特性，利用混合架构和线程控制器进行深度优化。

Windows 11

Windows 11 线程调度功能在根据工作负载动态调整内核方面可带来更强的功率和性能调度，也就是说，Windows 11 可以根据实际的使用环境，针对12代酷睿进行资源分配，据英特尔称，12代酷睿可以获得比11代酷睿强19%的性能。

值得期待的12代酷睿

在11代酷睿发布之时，就有很多玩家表示了观望，虽然在核显和性能上有了提升，但并没有打动大多数玩家。12代酷睿的提升则不只在制程方面，多方面升级的融合给玩家带来了更多的玩法和体验，搭配系统层面的加成，可以预见Windows 11 搭配12代酷睿会再次产生一批“钉子户”了。

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数字不同
同频率下，DDR3的性能更好。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取 *** 作加上一个BL=4的写入 *** 作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断 *** 作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而 DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和 CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的 *** 作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新 *** 作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到 95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新 *** 作。
8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
ddr5有用于显存的 内存目前还没有

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