arm compiler6 程序搬到sram

按照ARM启动流程 *** 作 。

编写代码：

一、2440：一上电，就从Nand中取出4KB的代码到SRAM中stepping stone运行，并对内存进行初始化。而后将Nand中代码全部复制到内存中。

6410：一上电，SROM中的BL0会将Nand中8KB的代码搬移到SRAM中stepping stone运行，并对内存进行初始化。而后将Nand中代码全部复制到内存中，剩余代码会在内存中运行。

210：一上电，SROM中的BL0会将Nand中代码复制到IRAM中运行，初始化内存。而后将Nand中全部代码搬移到内存中。

如果后面也指定了地址，那么将链接脚本中的地址和后面指定的地址加起来作为地址，所以一般链接脚本里的地址都指定0。

u F1采用Crotex M3内核，F4采用Crotex M4内核。u F1最高主频 72MHz， F4最高主频168MHz。u F4具有单精度浮点运算单元，F1没有浮点运算单元。u F4的具备增强的DSP指令集。F4的执行16位DSP指令的时间只有F1的30%~70%。F4执行32位DSP指令 的时间只有F1的25%~60%。u F1内部SRAM最大64K字节， F4内部SRAM有192K字节（112K+64K+16K）。u F4有备份域SRAM（通过Vbat供电保持数据），F1没有备份域SRAM。u F4从内部SRAM和外部FSMC存储器执行程序的速度比F1快很多。F1的指令总线I-Bus只接到Flash上，从SRAM和FSMC取指令只能通过S-Bus，速度较慢。F4的I-Bus不但连接到Flash上，而且还连接到SRAM和FSMC上，从而加快从SRAM或FSMC取指令的速度。u F1最大封装为144脚，可提供112个GPIO；F4最大封装有176脚，可提供140个GPIO。u F1的GPIO的内部上下拉电阻配置仅仅针对输入模式有用，输出时无效。而F4的GPIO在设置为输出模式时，上下拉电阻的配置依然有效。即F4可以配置为开漏输出，内部上拉电阻使能，而F1不行。u F4的GPIO最高翻转速度为84MHz，F1最大翻转速度只有18MHz。u F1最多可提供5个UART串口，F4最多可以提供6个UART串口。u F1可提供2个I2C接口，F4可以提供3个I2C接口。u F1和F4都具有3个12位的独立ADC，F1可提供21个输入通道，F4可以提供24个输入通道。F1的ADC最大采样频率为1Msps，2路交替采样可到2Msps（F1不支持3路交替采样）。F4的ADC最大采样频率为24Msps，3路交替采样可到72Msps。u F1只有12个DMA通道，F4有16个DMA通道。F4的每个DMA通道有432位FIFO，F1没有FIFO。u F1的SPI时钟最高速度为 18MHz， F4可以到375MHz。u F1没有独立的32位定时器（32位需要级联实现），F4的TIM2和TIM5具有32位上下计数功能。u F1和F4都有2个I2S接口，但是F1的I2S只支持半双工（同一时刻要么放音，要么录音）,而F4的I2S支持全双工，放音和录音可以同时进行

FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。

SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。

EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1。

STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。

扩展资料：

特点：

EEPROM可单字节 *** 作更灵活，FLASH存储量更大些FLASH：只能块擦除（叫块擦除更准确吧，原文是BLOCK），举例说明：比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入。

意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节 *** 作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。

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