c51单片机温度传感器c语言程序

void delay_18B20(unsigned int i)

{

while(i--);

}

void Init_DS18B20(void)

{

unsigned char x=0;

DQ = 1; //DQ复位

delay_18B20(80); //稍做延时

DQ = 0; //单片机将DQ拉低

delay_18B20(800); //精确延时 大于 480us

DQ = 1; //拉高总线

delay_18B20(140);

x=DQ; delay_18B20(200);

}

unsigned char ReadOneChar(void)

{

uchar i=0;

uchar dat = 0;

for (i=8;i>0;i--)

{

DQ = 0; // 给脉冲信号

dat>>=1;

DQ = 1; // 给脉冲信号

if(DQ)

dat|=0x80;

delay_18B20(40); //40

}

return(dat);

}

void WriteOneChar(uchar dat)

{

unsigned char i=0;

for (i=8; i>0; i--)

{

DQ = 0;

DQ = dat&0x01;

delay_18B20(50); //50

DQ = 1;

dat>>=1;

}

}

unsigned int ReadTemp(void)

{

unsigned char a=0;

unsigned char b=0;

unsigned int temp_value=0;

Init_DS18B20();

WriteOneChar(0xCC);

WriteOneChar(0x44);

delay_18B20(1000);

Init_DS18B20();

WriteOneChar(0xCC);

WriteOneChar(0xBE);

delay_18B20(1000);

a=ReadOneChar(); //读取温度值低位

b=ReadOneChar(); //读取温度值高位

temp_value = b<<8;

temp_value |= a;

return temp_value;

}

用c很简单 ，

/

FILE NAME: DS18B20c

CHIP TYPE: ATMEGA16

CLOCK FREQUENCY: 8MHZ

IDE: VSMStudio

COMPILER: AVR-GCC

TIME: September 2010

/

#include <avr/ioh>

#include <util/delayh>

#define uchar unsigned char

#define uint unsigned int

#define BUS PORTC

// Low level port/pin definitions

#define sbit(x,PORT) (PORT) |= (1<<x)

#define cbit(x,PORT) (PORT) &= ~(1<<x)

#define pin(x,PIN) (PIN) & (1<<x)

// Pins definition

#define s_digit1 sbit(5,PORTC)

#define c_digit1 cbit(5,PORTC)

#define s_digit2 sbit(4,PORTC)

#define c_digit2 cbit(4,PORTC)

#define out PORTC

#define DQ_IN DDRA&=~(1<<7)

#define DQ_OUT DDRA|=(1<<7)

#define S_DQ sbit(7,PORTA)

#define C_DQ cbit(7,PORTA)

#define DQ pin(7,PINA)

// Function Prototypes

void init_ds18b20(void);

uchar readbyte(void);

void writecommand(uchar);

uchar readtemp(void);

uchar a, b, tt;

// Main program

int main(void)

{ uchar i=0, temp;

// Initialize Stack Pointer

SPL=0x54;

SPH=0x04;

// Configure port pins

DDRC = 0xff;

DDRA = 0xff;

while(1)

{ temp = readtemp();

for(i=0; i<10; i++) // 10 measures

{ // output the units

out = (temp/10) & 0x0f;

s_digit1;

c_digit2;

_delay_ms(5);

// output the tens

out = (temp%10) & 0x0f;

c_digit1;

s_digit2;

_delay_ms(5);

}

}

}

// Start transaction with 1-wire line

void init_ds18b20(void)

{ DQ_OUT;

C_DQ ;

_delay_us(600);

S_DQ;

_delay_us(50);

DQ_IN;

while(DQ);

_delay_us(240);

DQ_OUT;

S_DQ;

_delay_us(300);

}

// Read a byte from the sensor

uchar readbyte(void)

{ uchar i = 0,data = 0;

DQ_OUT;

for (i=0; i<8; i++)

{ C_DQ ;

data >>= 1;

_delay_us(3);

S_DQ;

DQ_IN;

_delay_us(12);

if(DQ)

data |= 0x80;

DQ_OUT;

S_DQ;

_delay_us(45);

_delay_us(5);

}

return(data);

}

// Write a command to the sensor

void writecommand(uchar data)

{ uchar i;

for(i=0; i<8; i++)

{ C_DQ;

_delay_us(15);

if(data & 0x01)

S_DQ;

else

C_DQ;

_delay_us(45);

data >>= 1;

S_DQ;

_delay_us(2);

}

}

// Read value from the sensor

uchar readtemp(void)

{ uint t;

init_ds18b20();

// Convert

writecommand(0xCC);

writecommand(0x44);

init_ds18b20();

// Read Scratch memory area

writecommand(0xCC);

writecommand(0xBE);

a = readbyte();

b = readbyte();

t = b;

t <<= 8;

t = t|a;

tt = t00625;

return(tt);

}

比如

while(t--)

{

_nop_();

}

t在delayus(10)中已经赋值，即t=10，_nop_()是一个空 *** 作NOP（汇编语言中），即一个机器周期，主频12Mhz中就是1um

你的问题是，温度校准过程中能否省去降温过程。

一般而言，必须完整进行增序和减序校准的传感器，都是工作过程中具有机械变形位移、材料应变的传感器。这是为了检测传感器的重复性和滞后特性。

温度传感器是依靠材料内部分子状态的改变工作，在工作中都没有变形、应变的现象发生（老式的双金属片结构除外），所以，你的温度传感器校准完全可以省去降温过程，这不会对你的校准精度有任何影响。

查阅各种温度传感器校准规程，里面都没有要求必须“升温，降温”过程。

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