上海宏力半导体和华虹NEC到底是真合并还是假合并啊?

上海宏力半导体和华虹NEC到底是真合并还是假合并啊?,第1张

上海宏力半导体和华虹NEC到底是真合并还是假合并啊?

员工不知道,人家是产业整合,自己还没完全搞定还管你员工怎么样啊?
看下面的新闻:
华虹NEC、宏力合并 春节前拍板
经济日报╱记者陈碧珠/台北报导20081130 02:42 am

大陆第二大的上海华虹NEC重新与上海宏力合并有谱,明年春节前可拍板。业界再传出,大陆可能动用 力量,主导中芯收购合并后的华虹NEC与宏力,变成「三合一」;但业界担心,此一合并恐对晶圆代工8吋成熟制程市场价格有直接冲击。
大陆媒体指出,上海半导体行业协会秘书长蒋守雷证实,上海华虹NEC和上海宏力整合,已得到上海市 支持。蒋守雷更表示,新整合计画已在两三个月前启动,如果进展顺利,明年春节前能够敲定。他指出,这种整合不是简单的并购概念,晶片业需要规模效应,更多是从扩大规模、增强竞争力的角度来考虑决策。
一旦华虹NEC与宏力整并,不但是晶圆代工界第一桩合并,也比DRAM界先整并,业界更传出,刚获得北京大唐电讯入股的中芯国际,可能是大陆下一波整合的对象,大陆希望透过 力量,进行内地有史以来的最大三合一案,最后可能以中芯为主体。
华虹NEC和宏力均为上海较早的晶片代工厂。华虹NEC拥有两座8吋晶圆厂,月产能约6万片;宏力目前月产能约为35万片;中芯国际成立后,一度在8吋晶圆厂扩大投资,使两家竞争力减弱,中芯后来往12吋投资研发,还与四川、武汉、深圳等 合作,透过代管模式投资12吋厂房,但中芯、华虹、宏力三家至今仍亏损。
业界认为,拥有北京 出资的大唐电讯入股中芯,加深中芯的中资色彩后,华虹NEC与宏力一旦合并,三家公司透过当地 力量推动整合,并非不可能。分析师认为,中芯是大陆在半导体的样板企业,也拥有最先进的12吋晶圆厂,若将华虹NEC与宏力整并,产能的市占率可能超过特许,但要怎么发挥一加二大于三的效益,才是整并重点。
记者陈秀兰/台北报导宏力半导体本周二(25日)召开董事会,通过与华虹NEC整并,全球半导体不景气,这是大陆首宗晶圆代工厂的整并案例。有关人士透露,整并后,上海联合投资仍是最大的股东,宏力董事长将由华虹NEC董事长张文义出任。

上海华虹半导体和宏力半导体哪个好

差不多吧,都是国企,福利待遇都不错的,14个月工资外加奖金,奖金看效益。

上海宏力半导体面试

有高中或三校生。面试有英语、数学和智力题。薪资一线的话有基本工资+全勤+奖金+翻班费+房帖组成。

没有英文的,让你画些2 3极管(工艺方面),设备方面会让你看图纸,应该不算难,基本面试就要了

上海华虹宏力半导体离上海市中心多远

驾车路线:全程约166公里

起点:上海华虹宏力半导体

1从起点向正北方向出发,沿哈雷路行驶70米,左转进入郭守敬路

2沿郭守敬路行驶370米,右转进入金科路

3沿金科路行驶610米,过右侧的信源张江广场约150米后,朝科苑路方向,左转进入龙东大道

4沿龙东大道行驶26公里,直行进入龙阳路

5沿龙阳路行驶290米,直行进入内环高架路

6沿内环高架路行驶90米,直行进入内环高架路

7沿内环高架路行驶79公里,过南浦大桥,在陆家浜路出口,直行上匝道

8沿匝道行驶290米,过右侧的三角大楼约320米后,直行进入陆家浜路

9沿陆家浜路行驶12公里,过右侧的中国东方航空陆家浜路售票处,朝复兴东路方向,右转进入西藏南路

10沿西藏南路行驶18公里,过右侧的商悦青年会大酒店-商务中心约190米后,直行进入西藏中路

11沿西藏中路行驶370米,左转进入人民大道

12沿人民大道行驶180米,右转

13行驶30米,到达终点

终点:上海市

上海宏力半导体现在招人不

招的,你可以去51job上找到他们的·邮箱投下简历。

上海交通路线506与113线路合并,此消息到底是真还是假?

是真的!
巴士四汽506路定于3月27日头班车起暂停营运,113路同步按原506路走向延伸至静安新城!

上海宏力半导体成功面试的方法~!

首先,你要对这个公司做深入的了解,让对方认为你很有诚意,然后就是介绍自己的特长,如何能适应应聘的岗位,还有就是你的工作思路,你应聘上以后将如何为企业的发展提出自己的建议,如何在岗位上发挥自己的专业知识,当然也要表表决心,你将努力完成工作,不怕吃苦受累,还有,你要表现的不卑不亢。祝你成功!

威宇,日月光,宏力,华虹半导体到底哪个比较的好呢

威宇被日月光收购了,日月光ASE是封装厂。是世界上最大的。
宏力和华虹NEC是做晶园的。
相比这下宏力和华虹好一点了。

上海宏力半导体公司是什么性质的

台湾和大陆合资的,主要做wafer代工,背景很好,生意不错。最近和华虹又合资了一个厂。

1、汇顶GOODIX

汇顶GOODIX属于深圳市汇顶科技股份有限公司旗下的品牌成立于2002年是世界人机交互及生物识别技术的领导者主要应用领域有手机、平板电脑以及穿戴产品等多个领域有很强的实力推出了按压式指纹识别芯片、玻璃盖板的指纹识别芯片等多个指纹识别技术。

2、兆易创新GigaDevice

兆易创新这个品牌公司成立于2005年属于北京兆易创新科技股份有限公司旗下是一家设计研发各类存储器、控制器的一个芯片企业在深圳、香港、上海等多个地方设有子公司为客户提供便捷的服务。

3、龙芯loongson

龙芯这个品牌属于龙芯中科技术有限公司旗下,成立于2008年总部位于北京是一家信息产业和工业信息化产业提供低成本的处理器设计研发龙芯系列CPU以及销售服务为一体的高科技企业在中国十大芯片企业排名第三为客户提供可靠安全的处理器。

4、Spreadtrum展讯

Spreadtrum展讯成立于2001年总部位于上海属于紫光集团有限公司旗下品牌,主要从事手机芯片制造为智能手机以及多功能型的手机的芯片开发,在上海、杭州、厦门、美国圣迭戈等多个城市设有研发中心支持宽带和手机2G、3G及4G无线通讯标准。

5、海思Hisilicon

海思Hisilicon成立于2004年总部位于深圳市,属于华为技术有限公司旗下品牌是一家芯片和光器件公司在世界各地开设有研究中心拥有博士、硕士等研究人员业务。

涉及电子、通信、光器件等芯片解决方案和美国、欧洲等同行建立良好的合作关系为客户创造更多的价值在中国十大芯片企业排名第一实力雄厚以优质的服务赢得无数赞誉。

1、大唐电信

国内前三集成电路公司,内部产业整合基本完成:2013年公司集成电路收入仅次于华为海思、展讯和锐迪科。通过将联芯科技与大唐微电子进行整合,公司基本形成了以联芯,物联网,卡为核心的消费事业群和以安全系统类产品为核心的群,覆盖从消费电子到信息安全的全面芯片布局。

2、振华科技

中国振华电子集团有限公司(简称中国振华),是由始建于上世纪60年代中期国家“三线”建设的083基地不断发展而来的。初期称为“贵州省第四机械工业局”和“电子工业部贵州管理局”,之后一直沿用083基地名称。

3、欧比特

珠海欧比特控制工程股份有限公司是国内具有自主知识产权的高科技企业,公司主要从事于核心宇航电子芯片/系统、微纳卫星星座及卫星大数据、人脸识别与智能图像分析、人工智能系统、微型飞行器及智能武器系统的自主研制生产,服务于航空航天。

4、同方国芯

紫光国芯股份有限公司是紫光集团旗下半导体行业上市公司,专注于集成电路芯片设计开发领域,坚持稳健经营、持续创新、开放合作,是目前国内领先的集成电路芯片设计和系统集成解决方案供应商。

5、上海贝岭

上海贝岭公司创建于1988年9月,在1998年9月改制上市,是中国微电子行业第一家上市公司。是国家改革开放初期成功吸引外资和引进国外先进技术的标志性企业。

(原标题:科创板亏损第一股年亏26亿背后:核心技术依赖母公司 与台积电相差3代)

芯片产业国产化迫在眉睫!

2018年,我国集成电路行业实现销售收入25193亿,但其中自给率仅为1535%。也就是说,85%——超过2000亿元的芯片要依赖于进口。

事实上,我国在核心领域的芯片自给率更低。比如计算机系统、通用电子系统、通信装备、存储等设备中使用的芯片,国产芯片占有率都几乎为零。

但集成电路制造是砸钱的产业,要大力发展,除了国家的支持,更少不了资本市场的帮助。科创板的诞生的初衷,正是支持这些产业发展。

在昨天公布的首批9家企业中,就出现了集成电路制造领域的和舰芯片。招股书显示,其最先进的产品是28nm的晶圆。

这也是9家企业中唯一一家亏损的企业。2018年和舰芯片亏损26亿,大幅亏损的主要原因是资产折旧。没办法,生产线投入大,但芯片更新迭代快,导致生产线折旧率高,这是行业属性决定。一旦资产折旧完成,实现盈利并非难题。

和舰芯片大幅亏损的另一个原因是无形资产摊销。招股书显示,公司的核心技术全部需要取得控股股东联华电子授权。账面原值高达2387亿元无形资产,主要是技术授权费。技术授权费的摊销,加大了和舰芯片的亏损金额。

与资产折旧不同,巨额无形资产反映出和舰芯片的核心技术能否进步只能取决于母公司联电。目前来看,联电已经放弃7nm晶圆的研发,加上台湾经济部规定在大陆地区投资建厂的晶圆制程工艺需落后公司在台湾制程工艺的一代以上。和舰芯片很长一段时间里,只能在28nm晶圆的市场中争夺。

一方面,这个市场竞争激烈,另一方面随着三星、台积电10nm晶圆已经进入量产阶段,中芯国际的14nm晶圆也已进入了客户验证阶段。28nm市场的热度还能持续多久是个大问题。

对于即将登陆科创板的和舰芯片来说,前途依然充满挑战。

和舰芯片亏损26亿真相:生产线折旧和无形资产摊销

集成电路制造有垂直整合制造(IDM )和晶圆代工(Foundry)两种模式。

IDM指企业业务范围涵盖集成电路设计、晶圆制造、封装及测试等环节的全产业链模式,代表企业有英特尔、三星等;晶圆代工则只是承接其中一个制造环节,代表企业有中芯国际、台积电、联华电子等。

登陆科创板的和舰芯片是联华电子的子公司,同样是一家晶圆代工厂

联电成立于1980年,是台湾第一家半导体公司。集团旗下有5家晶圆代工厂,包括联电、联诚、联瑞、联嘉以及合泰半导体,是全球第三大芯片代工厂商,市场占有率在9%。

晶圆指的是硅片,可以理解为制造芯片的“地基”。“英寸”代表硅晶圆的直径。晶圆尺寸半径越大,每片晶圆上可制造的芯片数量就越多,意味着大批量生产成本的降低。目前,主流晶圆代工厂都在从8英寸向12英寸转型。

晶圆的生产中,良品率很重要。当下12寸晶圆生产还在进行良品率的技术爬坡,成本居高不下,而8英寸晶圆已具备了成熟的特种工艺。

和舰芯片原本主要从事8英寸晶圆研发制造,良品率基本上能达到99%;2016年,和舰芯片设立公司子公司厦门联芯,开始从事12 英寸晶圆研发制造业务。

2018年,和舰芯片实现3694亿元收入,亏损26亿元。实际上,2016年、2017年,和舰芯片亏损额分别为1149亿元、1266亿元。

和舰芯片巨额亏损的原因之一,就是转型造成的巨额固定资产折旧

对各晶圆代工厂商来说,竞争力由其制程工艺的水平决定。截至2018 年,具备28nm及以下先进制程技术的纯晶圆代工厂仅剩台积电、格芯、和舰芯片母公司联华电子、中芯国际、发行人、华力微六家,14/16nm以下厂商剩台积电、格芯、 联华电子3家;目前能提供7nm制造服务的纯晶圆代工厂商仅剩台积电。

掌握最先进的制程工艺,除了技术要过关,更要有大规模的资金投入。正常情况,一条28nm工艺集成电路生产线的投资额约50亿美元,20nm工艺生产线高达100亿美元。

去年,联华电子、格芯宣布停止10nm以下技术投资。 这背后,跟需要巨额资金投入以及能否产生的性价比

2016年,和舰芯片选择在厦门设立子公司厦门联芯用于生产28nm、40nm、90nm等制程的12英寸晶圆,总投资额高达到62亿美元。但芯片又是一个更迭迅速的产品。

英特尔创始人摩尔在1965年提出,至多在10年内集成电路的集成度会每两年翻一番。后来,大家把这个周期缩短到18个月,即每18个月,集成电路的性能会翻一番,指每代制程工艺都要让芯片上的晶体管数量翻一番。

你也可以理解为,性能不变的芯片,每18个月价钱会降一半。这也意味着到第5年的时候,芯片的价格只有5年前的十分之一,基本上不值钱了,需要换代。

对于晶圆制造厂来说,每次换代都需要购置新的制造设备。 理论上,生产线迭代很快,在会计处理上,需要折旧

巨额的生产线资产加上大比例的折旧,这就产生了巨大的折旧金额。和舰芯片的会计政策是6年折旧,也就是每年折旧1667%。

2018年,和舰芯片折旧金额28亿。截至2018年年底,和舰芯片生产设备净值为126亿元。

不过生产线使用期限在5年,只是存在于理论上。虽然芯片迭代很快,但实际应用场景中芯片更新速度并不会这么快,一条生产线的寿命也不只5年。

在折旧期限后,一般这些企业马上会实现盈利。所以生产线折旧造成的亏损,只是会计上的亏损。 据说没有一家晶圆厂能够在头5年在报表上实现盈利,台积电为此花了6年,和舰芯片母公司联电花了9年

如果从现金流来看的话,实际上和舰芯片表现非常好。2016年—2018年,和舰芯片经营性现金净流入分别为1267亿元、2913亿元以及3206亿元。

除了巨额资产折旧,和舰芯片亏损的原因还有无形资产摊销,去年无形资产摊销金额大约为477亿元。

巨额无形资产摊销背后:

核心技术依赖母公司,与台积电相差3代

和舰芯片巨额无形资产摊销, 主要是给母公司付的“税”费

根据招股书显示,生产晶圆的核心技术全部需要取得控股股东联华电子的技术授权。账面原值高达2387亿元无形资产,主要是技术授权费。这部分费用分为5年均摊,正因如此,每年大概需要摊销477亿元。

虽然和舰芯片每年数亿的研发投入, 和舰芯片的研发投入更多应用于具体行业产品的研发和本身制造工艺改良,而非实质性的技术突破

实际上,和舰芯片每年数亿的研发投入也只够用于技术改良。过去三年,公司的研发投入分别为188亿、291亿和386亿。反观中芯国际,2016年、2017年其研发投入高达318亿美元和427亿美元,折合人民币213亿和28亿。

如此来看,和舰芯片的核心技术能否进步,只能取决于母公司联电。但从目前来看, 和舰芯片的核心技术已经很难再进一步

根据联电所述,公司未来还会投资研发14nm晶圆及改良版的12nm晶圆工艺。不过在更先进的7nm晶圆及未来的5nm晶圆等工艺上,联电已经基本放弃。原因很简单,联电无法像台积电那样持续大规模的投入研发。

再加上台湾经济部的规定,在大陆地区投资建厂的晶圆制程工艺需落后公司在台湾制程工艺的一代以上。

这意味着, 如果联电放弃对高端制程的冲击,单凭和舰芯片很难取得更大突破,其制造工艺将在相当长时间内停留在28nm

对和舰芯片来说,只能竞争28nm的市场。

现阶段28nm晶圆市场看上去前景依然不错。随着研发难度和生产工序的增加,IC制程演进的性价比提升趋于停滞,20nm和16/14nm制程的成本一度高于28nm。

这是摩尔定律运行60多年来首次遇到制程缩小但成本不降反升的问题。也正是因为如此,28nm作为最具性价比的制程工艺也拥有较长生命周期。

在28nm制程,和舰芯片主要的竞争者有台积电、格芯、联电、三星和中芯国际,以及刚刚宣布量产联发科28nm芯片的华虹旗下的华力微电子。

虽然竞争对手不多,但28nm的竞争却异常激烈。由于台积电技术突破最早,目前凭借较小的折旧压力打低价战来获得更多的市场份额,加上整个制程扩产相对激进,供大于求,给其它几家厂商带来很大的压力。

价格竞争的背后是技术实力的沉淀问题 。要知道,能做先进制程了不代表技术实力就过关,其中还涉及到工艺成本、良品率等诸多问题。

以中芯国际为例,其制程工艺技术早早突破28nm,但始终没有产生理想的收益。截至2018年第二季度,28nm收入仍然只占在中芯国际总收入中的86%。

从毛利率情况看,不想办法突破更高的制程工艺,很难获得超出同行业的利润水平。

但如果一直停留28nm,对和舰芯片来说,这个市场的热度还能持续多久是个大问题。目前三星、台积电10nm晶圆已经进入量产阶段,中芯国际的14nm晶圆也已进入了客户验证阶段。换句话说,和舰与台积电的差距至少在表面上是28nm对10nm,差距为三代。时代总是会进步的。

据IBS估算,2014年全球28nm晶圆需求量为291万片,2018年将增至430万片,预计2024年将缓减至351万片。

即使和舰芯片成功上市,也掩饰不了联电发展缓慢,日益没落的大趋势。相比于三星、英特尔、台积电、格芯, 联电不仅营收规模小,增幅缓慢, 而且先进制程已经远远落后,短期内都没有追赶的打算

而和中芯国际相比, 背后没有海量资本作为靠山,在集成电路这个要依靠大量研发支出和资本支出的行业里面,联电处于不利的地位 。2017年年初,联电传出28nm技术团队被上海华力微电子挖角的消息就是个例证。

早年间,和舰芯片还能依靠国产化率的红利获得可观增长。但随着国内越来越多的晶圆厂落地,行业整体产能释放速度将远远超过下游产业链需求增加速度,产能过剩将不可避免。

根据SEMI的数据统计,预估在2017年至2020年间,全球将有62座新的晶圆厂投入营运,其中中国大陆将有26座新的晶圆厂投入营运,占新增晶圆厂的比重高达42%。

更要命的是,半导体行业景气度可能也将面临拐点。

美国半导体产业协会宣布,2019年1月的全球半导体市场销售额比2017年1月减少57%,减少至355亿美元,创下了自2016年7月以后30个月的首次负增长。 核心原因是,储存芯片价格的回归,AI等增量市场又尚未形成真实的需求

核心技术停滞不前,市场竞争加剧,行业又面临产能过剩。不说和舰芯片的处境危机四伏,至少往后的日子也不会太好过。

最高270亿估值!

发行后市值或逼近中芯国际,值不值?

招股说明书显示,本次发行不超过4亿股,预计募集资金近30亿。预计发行后,4亿股占比在111%。

这意味着,和舰芯片的估值最高能到270亿。从目前科创板的热度来看,270亿并非没有可能。

大家可能并不理解270亿意味着什么。这么说吧,截至本周五,中芯国际的市值在39472亿港币,换算成人民币33788亿。2017年中芯国际收入3101亿美元,换算成人民币20777亿。而2018年和舰芯片的营业收入也仅有3694亿

不出意外, 和舰芯片的收入应该是中芯国际的六分之一,而市值却到了80% 。这还不算上市后,股价上涨所带来的市值增加。

更重要的是,即使在美股,和舰芯片母公司联电的市值也仅有308亿。从2000年在纽交所上市,初期股价最高达1173美元,到如今股价仅188美元。毫不夸张的说, 在相当长时间,联电都是一家没有给投资人带来回报的公司

2017年,联电营业收入149285亿台币,净利润却只有6679亿台币,净利率仅45%,表现也完全不像一家高 科技 公司。

核心技术严重依赖的和舰芯片又将表现如何?

近几年,随着摩尔定律的极限在逐渐逼近,先进制程的发展速度在减慢,加上中国本土芯片设计产业蓬勃发展,带来了物联网等巨大的内需市场。中国的芯片产业迎来 历史 机遇。

随着科创板的推出,国家举全国之力支持集成电路、生物医疗、人工智能等重点行业,资金也不用发愁。

所以,读懂君衷心希望,在这个过程中,绝大部分的资源可以用到真正有核心技术的公司上。

当然,考虑到中国集成电路产业相对国外发达国家仍有相当差距,和舰芯片在国内仍然是比较优质的集成电路公司,和舰芯片的28nm晶圆甚至好于中芯国际的同类产品。

期待登陆科创板后的和舰芯片,获得更好发展。将来有一天,期待公司不仅仅局限于28nm晶圆产品,不断冲击更高等级的晶圆,为中国集成电路产业作出贡献。

只要咬着牙,把技术做出来,不愁没有客户和市场,中国集成电路制造产业也会迎来光明的前途。

本文源自读懂新三板

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华虹的未来在资产重组。
第一可能是集团资产注入。看一看华虹集团的成员企业:在香港上市的华虹宏力半导体,华虹集团和上海联合持有约60%股权;虹日国际电子,销售公司;挚芯电子,进出口代理公司;华力微电子,芯片代工厂;华虹科技发展,房地产公司;还有一个集成电路研发中心。
上海华虹计通智能系统股份有限公司成立于1997年04月25日,注册地位于上海市长宁区广顺路33号H幢3-4F,法定代表人为秦伟芳。经营范围包括许可项目:建筑智能化系统设计;建设工程设计;建筑智能化工程施工;各类工程建设活动。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)一般项目:设计、开发、生产和销售智能卡读写设备及系统;自动售检票设备及系统,电子收款机及系统,相关智能仪器仪表及设备并提供安装服务;从事自行车租赁系统、智能卡POS机及相应的充值机、结算机系统、计算机、电子工程领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务;软件开发;计算机系统服务;信息系统集成服务;人工智能应用软件开发;安全技术防范系统设计施工服务;非居住房地产租赁。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)上海华虹计通智能系统股份有限公司对外投资2家公司,具有2处分支机构。

新能源 汽车 的成本构成中,除了动力电池外,电控系统以 15~20%的成本占比位列第二。在电控系统成本中,IGBT成本占比高达 40%,是电控系统中最重要的构成器件,主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换。

功能上,IGBT 主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统和充电系统。对于混合动力 汽车 ,与低压系统相独立的高压系统也需要用到 IGBT。在新能源 汽车 领域,IGBT 作为电控系统和直流充电桩的核心器件,直接影响电动车功率的释放速度、 汽车 加速能力和最高时速等,重要性不言而喻。

由于 IGBT 具有更好的耐高压特性,当前在 650V 以上应用场景被广泛使用。相比硅基 MOSFET,IGBT 优点是导通压降小,耐高压,传输功率可以达到 5000W。IGBT 下游应用主要依据工作电压高低划分,车规级 IGBT 电压多位于 650~1200V 区间场景。

本篇文章就来对本土车规级 IGBT 的发展现状、行业格局与未来趋势进行分析,在现状中认清差距,在趋势中窥见转机。

本土产业现状

近两年,随着新能源 汽车 的快速发展,IGBT 也迎来了爆发。据集邦咨询《2019 中国 IGBT 产业发展及市场报告》显示,2018 年中国 IGBT 市场规模约为 153 亿元,同比增长 1991%。受益于新能源 汽车 和工业领域的需求大幅增加,中国 IGBT 市场规模将持续增长,到 2025 年,中国 IGBT 市场规模将达到 522 亿元,年复合增长率近 20%。

我国是车规级 IGBT 的主要市场之一,约占全球市场份额超过 30%,但中高端 IGBT 主流器件市场基本被欧美、日本企业垄断,比如英飞凌、富士电机、三菱等外资企业,我国 IGBT 产品对外依赖度近 95%,呈现寡头垄断的竞争格局。

国内研发车规级 IGBT 的企业较少,或与其研发、生产的高难度有关。

在比亚迪入局 IGBT 之前,国内自主研发的 IGBT 几乎一片空白,基本被外资企业垄断。

图源 | mydrivescom

比亚迪微电子公司(比亚迪半导体公司前身)成立于 2004 年,初期主要承担着比亚迪集团集成电路及功率器件的开发、整合、晶圆等生产任务,主要经营功率半导体器件、IGBT 功率模块、CMOS 图像传感器、电源管理 IC、传感及控制 IC 等产品。其中,IGBT 是比亚迪半导体的拳头产品。

从 F3DM 采用的 IGBT 10 芯片,大规模配置于 e6、K9 等新能源车型上的 IGBT 25 芯片模块,到去年推出的 IGBT 40 芯片,比亚迪的 IGBT 芯片已经研发了超过十年,成为国内首个贯通新能源 汽车 IGBT 芯片设计、晶圆制造、模块封装、仿真测试以及整车测试等全产业链企业。

近日,比亚迪 IGBT 项目在长沙正式动工。据悉,该项目总投资 10 亿元,将建成年产 25 万片 8 英寸新能源 汽车 电子芯片生产线,投产后可满足年装车 50 万辆新能源 汽车 的产能需求,预计年度营业收入可达 8 亿元,实现利润约 4000 万元。

比亚迪电控、IGBT 模块等零部件背靠集团新能源 汽车 的发展,成为市场中亮眼的存在。比亚迪已经成为国内新能源 汽车 市场中装机量最多的电控供应商,IGBT 部分也成为国内新能源 汽车 电控用功率模块装机量数一数二的供应商。

有数据显示,2019 年,英飞凌为国内电动乘用车市场供应 628 万套 IGBT 模块,市占率达到 58%。而比亚迪供应了 194 万套,市占率达到 18%(按最新数据估算,其在中国车规市场的份额已达 221%)。可以说,比亚迪缓解了我国车规级 IGBT 芯片市场一直被外企“卡脖子”的局面。

2019 年,比亚迪 IGBT 自供比率约 70%,尽管比亚迪打破了国际巨头的垄断,但其对外供应量仅 4 万多套,可以看出比亚迪还是相当保守的。因此,4 月 14 日比亚迪宣布通过整合公司半导体业务、成立了独立的“比亚迪半导体有限公司”,扩大 IGBT 业务量,下一步的规划是让 IGBT 的外供比例争取超过 50%。

小结: 目前比亚迪在国内新能源 汽车 用 IGBT 市场的份额只有 20%左右,市场绝大部分仍掌握在英飞凌、三菱等外资企业手里,比亚迪占据的市场份额并不算高。放眼全球 IGBT 市场,比亚迪所占据的市场份额更是不足 2%,差距巨大。

比亚迪的孤单,不仅体现在 IGBT 技术实力和市场份额上的种种差距,更在于关键零部件领域自主品牌弱势的行业积淀和产业生态现状。

由此来看,比亚迪和国内 IGBT 企业们的追赶之路并不好走。但纵使路漫漫其修远兮,还望上下而求索

国际巨头压力之外,比亚迪还面临着来自本土竞争对手——斯达半导体带来的挑战。

根据 IHS Markit 2018 年报告,斯达半导体是国内唯一进入全球前十的 IGBT 模块厂商。相较于比亚迪半导体的 IGBT 技术从 10 迭代到 40(相当于国际第五代),斯达半导的 IGBT 技术已经发展到了第六代,基于第六代 Trench Field Stop 技术的 IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片已在新能源 汽车 行业实现应用。

根据今年公司上市时披露的数据来看,斯达半导体 2019 年生产的车规级 IGBT 模块已经配套了超过 20 家终端 汽车 品牌,合计配套超过 16 万辆新能源 汽车 ,此外适用于燃油车的 BSG 功率组件顺利通过了主流 汽车 厂商的认证,打开了传统 汽车 市场。其中,斯达半导的子公司 StarPower Europe AG 使用自主芯片的 IGBT 模块在欧洲市场已被包括新能源 汽车 行业在内的客户接受并批量采购,步伐迈入全球化。

小结: 斯达半导体与比亚迪相比:比亚迪 IGBT 业务有着自身新能源 汽车 产业做背书,使其产品研发和应用落地获益,此为优势;

然而,“水能载舟,亦能覆舟”,或许也正是由于比亚迪本身有整车业务,进而难以让其他车企真正放下心中的芥蒂,使用比亚迪的 IGBT 产品。此为劣势。

相信斯达半导体的崛起对于比亚迪和本土 IGBT 产业来讲不是坏事。毕竟,“一枝独秀不是春,百花齐放春满园”。

此外,国内还有中车、士兰微、扬杰 科技 、宏微 科技 等企业在进行车规级 IGBT 的研发和生产。随着国家的高度重视和大力扶持,国内在 IGBT 研发方面确实已经取得了长足的进步,本土 IGBT 产业链已经初步形成。

但基于国内产业现状,再加上 IGBT 本身设计门槛高、制造技术难、投资大,国内相关人才又较为缺乏,在设计、测试以及封装等核心技术方面还积累不够,导致国内半导体企业在 IGBT 市场一直处于弱势地位。

整体来看,国内功率半导体分立器件产业的产品结构仍以中低端为主,在高端产品方面目前国际厂商仍占据着绝对优势地位,供需一直存在较大缺口,技术差距短期内或较难追平。

IGBT 市场格局:外企垄断之下,本土产业痛点何在?

自 1985 年前后美国 GE 成功试制工业样品以来,IGBT 经过 30 多年的发展,如今已发展到第 7 代技术。第 7 代由三菱电机在 2012 年推出,富士电机则从 2015 年就开始对外提供 IGBT 模块第七代产品的样品。而比亚迪 2018 年 12 月才发布 IGBT 40 技术(也就是国际上第五代技术),其中的差距不言而喻。

根据 IHS 统计,2018 年仅英飞凌、三菱、富士电机、安森美、ABB 五大厂商在 IGBT 领域占据的市场份额接近 70%,其中排在第一位的英飞凌市场份额高达 345%。目前国内 IGBT 产品的研发与国际大厂相比还存在很大差距,核心技术均掌握在外资企业手中,IGBT 技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。

国内 IGBT 技术(芯片设计、晶圆制造、模块封装)目前尚处于起步阶段。本土企业在研发与制造工艺上与世界先进水平差距较大。而且,IGBT 是关键设备上的核心部件,供应切换具有非常高的风险,这也制约了我国 IGBT 技术的发展和产品的应用。

形成上述局面的原因可以概括为以下几个方面。

国内 IGBT 产业化起步较晚且基础薄弱,例如比亚迪、斯达半导体 2005 年才开始成立 IGBT 团队,而英飞凌 1999 年就从西门子拆分出来,且之前就已经有了很深的技术积累,技术差距短期内很难追平。

再加上 IGBT 本身设计门槛高、制造技术难、投资大、国内相关人才较为缺乏,在设计、制造、测试以及封装等核心技术方面还积累不够,导致国内半导体企业在 IGBT 市场一直处于弱势地位。

目前国内 IGBT 行业虽然逐渐具备了一定的产业链协同能力,但国内 IGBT 技术在芯片设计、晶圆制造、模块封装等环节目前均处于起步阶段。

晶圆制造方面,国内 IGBT 主要受制于晶圆生产的瓶颈,首先是没有专业的代工厂进行 IGBT 的代工,原 8 寸沟槽 IGBT 产品主要在华虹代工,但是 IGBT 并非华虹主营业务,产品配额极其匮乏,且价格偏高;

其次,与国外厂商相比,国内公司在大尺寸晶圆生产上工艺仍落后于全球龙头。晶圆越大,单片晶圆产出的芯片就越多,在制造加工流程相同的条件下,单位芯片的制造成本会更低。目前,IGBT 产品最具竞争力的生产线是 8 英寸和 12 英寸,国内晶圆生产企业此前大部分还停留在 6 英寸产品的阶段。仅有比亚迪、中车、士兰微等几家国内企业实现 8 英寸产品量产。

同时,由于国内集成电路公司没有独立的功率器件生产线,只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工,所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通 IC 芯片相比,大功率器件有许多特有的技术难题,如芯片的减薄工艺,背面工艺等。

可以看出,IGBT 是一个对产线工艺依赖性极强的公司,解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术,更需要先进的工艺设备,这意味着设计公司不能跳出代工厂的支持独立存在。所以,IGBT 企业走向大而强的最好的路线就是 IDM 模式。这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。

在模块封装技术方面,车用 IGBT 的散热效率要求比工业级要高得多,逆变器内温度最高可达 20℃,同时还要考虑强振动条件。国内目前仅掌握了传统的焊接式封装技术,与国外公司相比,技术上的差距依然存在。国外公司基于传统封装技术相继研发出多种先进封装技术,能够大幅提高模块的功率密度、散热性能与长期可靠性,并初步实现了商业应用。

自第六代技术以后,各大厂商开始将精力转移到 IGBT 封装上。在 IGBT 封装材料方面,日本在全球遥遥领先,德国和美国处于跟随态势,我国的材料科学则相对落后。

IGBT 产业每道制作工艺都有专用设备配套,国内 IGBT 工艺设备购买、配套较为困难。比如德国的真空焊接机、薄片加工设备、表面喷砂设备、自动化测试设备等,其中有的国内没有,或技术水平达不到。

图源 | SEMI

因此就会面临好的进口设备价格十分昂贵,便宜设备又不适用的问题。此外,还面临国外设备由于出口限制或技术保密等因素未必会卖给中国的困境。

可见,要成功设计、制造 IGBT 必须要有产品设计、芯片制造、封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术的研究、开发及产品制造于一体的自动化、专业化和规模化的产业生态。

高端工艺开发人员非常缺乏,现有研发人员的设计水平有待提高。目前国内没有系统掌握 IGBT 制造工艺的人才。从国外先进功率器件公司引进是捷径。但单单引进一个人很难掌握 IGBT 制造的全流程,而要引进一个团队难度太大。国外 IGBT 制造中许多技术是有专利保护。目前如果要从国外购买 IGBT 设计和制造技术,还牵涉到好多专利方面的东西。

由于 IGBT 产品的寿命、稳定性直接影响电动车安全性,其性能也直接决定了续航里程等电动车性能,因此全球电动车 IGBT 市场此前一直被英飞凌等海外巨头垄断。

车企切换至国内供应商,需要对其产品稳定性、性价比、量产经验与装车量、公司整体研发与资金实力等进行综合评估。因此 IGBT 在国产替代过程中面临的较大市场难度。

小结: 不难看到,从市场占比、产业链协同,到专利壁垒、人才技术,再到市场及下游客户的认可度,本土 IGBT 产业存在着全方位差距。

尽管近年来国内众多厂商纷纷开始加入 IGBT 产品布局,市场规模呈加速增长趋势。但国内 IGBT 市场产量依然较低,市场份额被国外巨头瓜分蚕食。

面对当前产业现状与困局,本土 IGBT 产业亟待突破。

如何突破?

图源 | CGTN

弘大芯源董事长章威纵表示,“从过去 50 年硅基半导体发展之初,到目前国外第三代半导体发展领先的实际情况不难看出,没有先进的晶圆代工厂和制程工艺技术,技术就很难生根。这也是中国硅基及 IGBT 严重依赖进口,落后国外的一大原因。”

去年,中芯国际以 113 亿美元的对价,将所持有的 LFoundry 70%股权转让给专注于 IGBT、FRD 等新型电力电子芯片的研发企业——江苏中科君芯。可见,国内 IGBT 企业在工艺制程方面逐渐在发力追赶。

IGBT 产品当前最具竞争力的生产线是 8 英寸和 12 英寸,最为领先的厂商是英飞凌,已经在 12 英寸生产线量产 IGBT 产品。国内公司大尺寸晶圆工艺和良率均落后于行业龙头,导致芯片分摊成本较高。

目前,伴随国内企业 8 寸晶圆产线先后投产,良率逐步提升,国产 IGBT 有望较此前采购英飞凌等巨头晶圆价格大幅下降。

工信部印发的《 汽车 产业中长期发展规划》提出,到 2020 年我国新能源 汽车 产量达到 200 万辆,2025 年达到 700 万辆。IGBT 模块占电动 汽车 成本将近 10%,占充电桩成本约 20%。

集邦咨询预测,到 2025 年,中国新能源 汽车 所用 IGBT 市场规模将达到 210 亿人民币,充电桩所用 IGBT 的市场规模将达到 100 亿人民币。可以预见,新能源 汽车 市场将成为助推 IGBT 市场增长的主要力量,国内 IGBT 厂商要抓住这一发展契机,争取扩大市场份额。

小结: 在新的市场需求与本土产业链协同发展的趋势下,国内 IGBT 行业逐渐在缩小差距。

对于本土企业应该如何发力追赶,新能源及未来 汽车 技术路线独立研究者曹广平向笔者指出,“本土 IGBT 产业应汇集优质人才、企业、科研机构、资金等,向华为一样发力。这样的发力,一定不要限于报项目、批项目、验项目,而是要紧紧抓住权利的配套监管,不放松,不腐败,不乱来。”

也许吧。产、学、研共同发力是产业发展和进步的基础,良好的制度和行业规则是产业进一步追赶的保障。

写在最后

总体来看,我国在 IGBT 领域已经解决了从 0 到 1 的问题,未来需要经历的是从 1 到 N 的漫长过程。

新基建及战略新兴行业鼓励政策等机遇,看似是助力行业前进的大风口,大机遇。但实际上,也正如曹广平所言,“我们最缺乏的是不去迎合机遇,而是政府、行业、企业等能够踏踏实实长期真正做事情的耐心和决心。”

毕竟,政策只是一时的,机遇和风口总会过去。剩下的,只有日复一日的耐心与“不破楼兰终不还”的决心,才能有不被受制于人的可能与下一次面对挑战时再来一次的勇气。

文章参考

《比亚迪的 IGBT 真的很牛?》, 汽车 公社—王小西;

《IGBT 国内替代国外》,智能网联 汽车 ;

《IGBT 市场巨头林立 比亚迪半导体突围不易》,盖世 汽车 资讯;

《电动车核心技术 IGBT,国产替代可期》,中信证券;

“新能源及未来 汽车 技术路线独立研究者 曹广平”部分观点。

更多对产业生态文章的梳理,请点击《与非大视野》


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