车规产品与汽车MLCC的区别

车规产品包含汽车MLCC。
所谓车规产品，大意是“符合汽车使用规范等级的产品”，对于乘用车行业来说，主机厂所涉及到的所有零部件最终都是用于汽车产品的。而MLCC是车规产品的一种，即层片式瓷介电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），形成一个类似独石的结构体，也被称为独石电容器。

第一方面是要看他们的标啊，假的标上面会反光的，原装正品的不会反光，第二方面就是看电容会不会有色差，色差的一定一定是假的。如果可以的话，最好是先拿几个试用一下啊，你可以用比一下，天亿电子我觉得还算不错的

片式电阻一般由以下材料制作而成：
1基板（陶瓷基板）
2电阻浆（R膏）
3背导材料
4正导材料及侧导材料（Ag浆）
5一次保护玻璃G1
6二次保护玻璃G2
7Mark标记材料。

日本三大产业：

1、70年代以后，汽车业取代了钢铁业成为日本的支柱产业

2、年产值230万亿日元的日本第二大支柱产业：动漫

3、电子产业日本是世界上数字媒体产业最发达的国家之一,成为日本目前三大经济支柱产业之一

瑞萨电子正式宣布收购IDT。根据协议，瑞萨电子将以每股4900美元的价格，总股权价值约67亿美元全现金交易方式收购IDT。瑞萨方面表示，本次收购是嵌入式处理器和模拟混合信号半导体两大行业领导者的整合，双方通过各自优势产品能够优化高性能计算电子系统的性能和效率。

这是继早两年收购Intersil之后，日本巨头的又一单重磅交易。

但其实回顾过去几年日本芯片企业动态，我们可以看到，日本企业正在通过收购和合作等各种方式，增强芯片产业的实力。在经过一系列的 *** 作之后，他们似乎离其目标也越来越近了。不过在谈这个之前，我们先解一下日本集成电路产业的辉煌史。

曾占全球芯片半壁江山

回顾集成电路产业的发展史，日本是唯一一个曾经有能力与美国分庭抗礼的国家。

1990年到2017年的全球不同地区的IC销售走势

根据ICinsights的数据显示，在1990年，日本IC市场的份额（不包括代工厂）高达49%，远远超过第二的美国的。当时的NEC、东芝、日立、松下等厂商依赖于产品的技术和价格优势，在全球制造了巨大的影响力。

从Gartner的统计中我们可以看到，1990年全球排名前二十的半导体厂商中，有一半厂商是来自日本；如果单统计前十的半导体厂商，更是有六家是来自日本，前两位分别是来自日本的NEC半导体和东芝半导体，与排名第三的摩托罗拉半导体相比，优势明显。

1990年全球排名前二十的半导体厂商

纵观日本半导体的发展，这个成绩主要与他们从八十年代开启一系列推动计划有关。

集成电路是由德州仪器工程师杰克·基尔比在上世纪五五六十年代发明的，并在之后取得了跨越式的发展，而美国也一直处于全球领先的位置。虽然日本也很早就聚焦集成电路产业的研究，但是与美国相比，仍然差距很大。到了上世纪七十年代前期，日本计算机产业还整体落后美国十年以上，为了寻找超越的机会，日本产学研将目光投向了超大规模集成电路（VLSI）。

在20世纪70年代，日本政府与NEC、日立、三菱、富士通和东芝五家日本最大的计算机公司，日本通产省的电气技术实验室，还有CDL（由日立、三菱和富士通联合组建）和NTIS（NEC和东芝联合组建）这两个研究机构联手签订了VLSI研究协会，计划投入306亿美元去钻研VLSI。

经过十年的合作，VLSI研究协会共申请了1000多项专利，其中600多项获得了专利权。这些技术让日本在DRAM产业获得了世界领先的地位。后来日本在八九十年代打败美国，成为全球DRAM老大，就是依赖于此时打下的基础。

从某个角度看，VLSI计划奠定了日本整个微电子产业后来发展的基础。

但日本方面也看到，虽然通过VLSI项目的实施，提升了整体的技术水平，但是日本企业仍然需要面对如何进一步提升公司自身在国际市场的竞争力的问题。于是他们选择了通过进攻半导体掌握核心的方式。以NEC为例，这个日本领头羊在上世纪八十年代初期的营收只有38亿美元，但通过与美国惠普和贝尔等诸多公司合作发展半导体技术（仅仅在1987年合作项目就达到100项），让他们在短短八年内，将销售额提升到219亿美元。

按照NEC的说法，合作的意图不是仅仅为了解决某些具体技术，而是定位于技术的入口，为了获取进人新领域的技术能力而进行合作。

正是在这些方针的领导下，日本打造了一个巨大的集成电路航空母舰。

美国回击

根据国君电子的统计显示，1970年～1985年的15年间，日本电子产业产值增长5倍，内需增长3倍，出口则增长了11倍之多。在DRAM市场中，日本企业从20世纪70年代后半期开始快速成长起来，并凭借兼具高质量和成本优势的产品迅速渗透美国乃至全球市场。从64KB时代到1MB时代，全球最大供应商一直被日本企业牢牢占据。

日本电子产业产值、内需、出口值

1986年，日本企业在世界DRAM市场所占的份额接近80%。前文也提到，在九十年代初期，日本在全球半导体产业的巨大号召力。上文的ICinsights统计数据也展现了日本到1990年，芯片的全球占有率依然高企。

作为集成电路发明者的美国，在日本的步步紧逼之下，他们从上世纪八十年中期就开始了回击。

资料显示，1985年美日就开始就半导体问题进行谈判。当时美国向日本的相关负责人表示，要求他们将美国在日本的市场份额提升到20%～30%，并建立价格监督机制，终止第三国倾销。虽然日本人当时极不情愿，但是他们还是接受了这个苛刻的条款。

但到了1987年，美日的贸易逆差进一步拉大，且其半导体产品在日本的份额并没有提升。为此山姆大叔再次旧事重提，与日本开始了第二次谈判。当时的里根政府要求日本必须改善市场准入和停止在第三国倾销。再加上后面的一系列半导体协议，到了1996年，日本的半导体已经今非昔比。全球半导体龙头的位置，也在1992年被美国Intel反超。

市场需求的转变，也是造成日本集成电路产业现状的其中一个原因。

从九十年代开始，以PC为代表的新型通信设备的兴起，掀起了CPU竞争，日本没有设计，后来的智能手机时代，手机SoC和基带等产品，日本也错失。甚至连最近几年大红大紫的DRAM和NAND Flash，日本也被韩国抢了风头。甚至在后面火遍全球的无晶圆设计领域，日本也没有赶上。

自从张忠谋在上世纪八十年代创立了台积电后，集成电路产业从以往的IDM模式进化成Fab和Fabless分立模式，如Marvell 、英伟达、高通和MTK等一众Fabless兴起，并创造了不菲的市值。但在日本方面，出了一个MegaChip之外，似乎找不到第二个知名的Fabless。

按照ICinsights的统计数据显示，2017年，日本在IC市场上的份额（不含晶圆厂）只有7%，曾经领先全球的NEC、日立、三菱和松下已经不再出现在这个榜单之上。按照ICinsights的说法，这主要是以韩国IC供应商在存储方面的竞争有关。他们认为，由于激烈的竞争，导致日本供应商的数量减少，垂直整合业务的六十，错失了为几个大容量的终端应用提供IC的机会，再加上他们转向Fab-lite的商业模式，降低晶圆厂和设备的投资，进一步削弱了其竞争力。

“2017年日本公司仅占半导体行业总资本支出为5％（比去年的IC市场份额低2个百分点），远远低于1990年代表的51％的支出份额。”ICinsights报告里面说。

在这里，我觉得需要特别强调一下，衰落是指日本在集成电路方面，虽然日本现在依然有几家厂商在全球拥有不错的地位，但与他们的巅峰相比，这种差距是不言而喻的。另外，由于日本多年在材料、被动元件和设备方面等产业的研究和积累，在硅片和半导体设备领域的地位也是名列前茅的，但这不在本文讨论范围内。

合作收购

拥有深厚基础的日本，对集成电路市场的渴求自然不止于此。近年来，总部位于日本的村田、瑞萨和TDK等一系列厂商的动作频频，昭示了日本对复兴本土集成电路产业的决心。

首先看一下村田。

根据村田官方的数据显示，过去几年，他们的营收在波动上升中，尤其是在2018财年，得益于MLCC等被动器件的火热，村田扭转了前一年的颓态，业绩继续上升。

村田过去几年的营收走势（按产品划分）

从上图可以看出，虽然村田近半的营收都是由元器件贡献，他们在通信模组方面的营收，还只能在逐步攀升。除了本身的产品研发投入外，收购在其这个业务的营收增长中，占了很大的一部分动能。

回顾过去十年，村田收购了VTI、C&D Technologies、瑞萨电子PA业务、TOKO、 RF Monolithic、Primatec、Perrgrine和IPDiAS等公司。除了进一步补全其被动元器件生产线，村田正在面向未来，拓宽其在多个领域方面的产品线。

村田在2007年到 2016年的营收

我们知道村田在MLCC方面的影响力是巨大的，近年来他们也将MLCC的影响力拓展到汽车领域。除了这块以外，他们进一步加强其汽车方面的影响力。

2017年3月17日，宣布以6200万美元将美国半导体企业Arctic Sand Technologies纳至麾下。后者是由MIT成立的初创企业，主要产品是高效能功率半导体，主要是依靠高性能电容的搭配来强化电流控制能力。村田作为高性能电容大厂，配合Arctic Sand Technologies的功率半导体，可望制成高效能功率元件，甚至结合双方的特长，研发出比现在性能更好的功率模组，为自动驾驶汽车的爆发做好准备。

来到RF方面，村田在2011年收购了瑞萨电子的功率放大器业务，2014年又收购了美国无线IC厂商Peregrine，结合他们在滤波器和功率放大器方面的实力，加强他们在RF前端设计方面的能力。

至于更早前收购VTI，加码投资，扩展MEMS传感器方面的产品线，也是村田的另一个方向。

另一家公司瑞萨，作为全球汽车电子、产业和通用电子方面等多个应用领域的MCU/SoC的领导者，也在继续补全产业版图。

2016年9月，瑞萨宣布以32亿美元收购了美国芯片大厂Intersil，后者作为电源管理/混合信号IC的领导者，在其所在的领域上有很深的积累。而瑞萨方面则在MCU方面有很大的份额。IC Insights的资深分析师Rob Lineback指出，Renesas能因此取得电源管理技术，并扩展在汽车、甚至航天领域的更多业务，特别是在日本以外市场。

在昨日宣布收购IDT之后，瑞萨方面表示，后者在模拟混合信号产品，包括传感器、高性能互联、射频和光纤以及无线电源，与瑞萨电子MCU（微控制器）、SoC（片上系统）和电源管理IC相结合，为客户提供综合全面的解决方案，满足从物联网到大数据处理日益增长的信息处理需求；IDT的内存互联和专用电源管理产品有利于瑞萨电子在不断发展的数据经济领域实现业务增长，并加强其在产业和汽车市场的影响力。

更早之前，也有传出瑞萨收购Maxim的流言，但这个被双方否认了。从瑞萨电子的频频动作，我们可以看到日本厂商的迫切。

TDK，同样作为日本原器件市场一个举足轻重的企业，他们也在加紧布局。

TDK过去几年的营收数据

一方面，TDK通过收购InvenSense、ICsense 和Chirp Microsystems，壮大传感器阵容。其中是一家在2003年成立的新创公司，是加速度计、陀螺仪、电子罗盘及麦克风等MEMS传感器市场领导企业，具有扩展性非常好的CMOS/MEMS平台，并且曾是苹果（Apple）的主要供应商之一。在被TDK收购后，依赖于其CMOS/MEMS平台技术本身，他们将能合作开拓无人机、VR/AR以及自动驾驶汽车等领域的市场。

专攻ASIC开发与供应，以及客制化IC设计服务ICsense总部则位于比利时鲁汶，公司拥有欧洲规模最大的无晶圆厂（Fab-independent）设计团队，核心专业能力包括传感器与MEMS介接、高压IC设计、电源与电池管理等，为汽车、医疗、工业与消费性市场研发并提供客制化的ASIC解决方案，这会是TDK业务的一个很好的补充；

Chirp Microsystems则是高性能超声波3D传感器解决方案的提供者，他们的产品相比现有技术尺寸更小、功耗更低。能为AR/VR（增强现实、虚拟现实），以及智能手机、汽车、工业机械以及其它ICT（信息和通信技术）等市场提供广泛的应用。

另外，TDK还和高通合作成立RF360，布局RF前端市场。

从上文我们可以看到，以以上厂商为代表的日本厂商正在为汽车电子、物联网、传感器和5G等技术和市场蓄势。而我们知道，在经历了PC时代、智能手机时代之后，以上领域正成为全球半导体厂商关注的重点。其他无论是高通企图收购NXP、NXP收购飞思卡尔，还是英飞凌收购IR，软银收购ARM，都是瞄准这些目标而来。而日本集成电路产业正在为了自己的目标在加倍努力。

贴片电容是一种电容材质。贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。贴片电容有两种表示方法，一种是英寸单位来表示，一种是毫米单位来表示。

基本介绍 中文名 ：贴片电容 外文名 ：Multiplayer Ceramic Chip Capacitors 缩写 ：MLCC 尺寸,命名,封装,贴片电容的分类,NPO电容器,X7R电容器,Z5U电容器,Y5V电容器,MLCC电容选型,电容的作用,内部结构, 尺寸 贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法， 04 表示长度是004 英寸，02 表示宽度002 英寸，其他类同型号尺寸（mm） 英制尺寸 公制尺寸 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 100±005 050±005 050±005 0603 1608 160±010 080±010 080±010 0805 2012 200±020 125±020 070±020 100±020 125±020 1206 3216 300±030 160±020 070±020 100±020 125±020 1210 3225 300±030 254±030 125±030 150±030 1808 4520 450±040 200±020 ≤200 1812 4532 450±040 320±030 ≤250 2220 5750570±040 500±030 ≤250 2225 5763 570±050 630±050 ≤250 3035 7690 760±050 900±005 ≤300 命名 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。 贴片电容的命名： 0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸大小，是用英寸来表示的08 表示长度是008 英寸、05 表示宽度为 005 英寸 CG ：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×100 也就是= 1000PF J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T 表示编带包装， 贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异 贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。 贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有63V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。 贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO 此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。 容量精度在5%左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF- 1000PF 也能生产但价格较高 X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10%左右。 Y5V 此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20%左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。 封装 贴片电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列， 具体分类如下：类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 贴片电容的分类 一 NPO电容器 二 X7R电容器 三 Z5U电容器 四 Y5V电容器 区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±03ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±005%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±01%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 05---1000pF 05---820pF 1206 05---1200pF 05---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0033μF 1000pF---0018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要套用于要求不高的工业套用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0056μF 330pF---0012μF 1206 1000pF---015μF 1000pF---0047μF 1210 1000pF---022μF 1000pF---01μF 2225 001μF---1μF 001μF---056μF Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率回响，使其具有广泛的套用范围。尤其是在退耦电路的套用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 封 装 DC=25V DC=50V 0805 001μF---012μF 001μF---01μF 1206 001μF---033μF 001μF---027μF 1210 001μF---068μF 001μF---047μF 2225 001μF---1μF 001μF---1μF Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围10℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -56% 介质损耗 最大 4% Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达47μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 封 装 DC=25V DC=50V 0805 001μF---039μF 001μF---01μF 1206 001μF---1μF 001μF---033μF 1210 01μF---15μF 001μF---047μF 2225 068μF---22μF 068μF---15μF Y5V电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -82% 介质损耗 最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。 MLCC电容选型 主要MLCC主要生产厂家：日本京瓷、村田、丸和、TDK；韩国三星；台湾达方、平尚电子科技、禾伸堂、国巨、华新科；大陆有名的则是宇阳、风华高科、三环。 容选形时需要考虑的因素很多，以下探讨了MLCC的 电容 选形要素。 选型要素 -参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸 -材质 -直流偏置效应 介质的性能 -C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容 -X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业套用 -Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合套用于去耦电路 -Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容 MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 电容的作用 1）旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连线处在通过大电流毛刺时的电压降。 2）去耦 去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是晶片管脚上的电感，会产生反d），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。 去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取01μF、001μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。 3）滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 4）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 内部结构 它的外表是陶瓷做的，但不止只有一种，它还分玻璃电容、油纸电容、电解电容等。 通常所说的陶瓷贴片电容是指MLCC,即多层陶瓷片式电容(Multilayer Ceramic Capacitors)。 常规贴片电容按材料分为COG(NPO),X7R,Y5V,其引脚封装有0201,0402,060308051206,1210,1812,1825,2225 多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。

有的。前景还是非常好的，包含的很广阔，大到器件，小的到电阻，从事热敏电阻的，例如时恒，都发展的非常好。电子信息有三大背景，即是在计算机技术，通信技术及高密度存储技术快速发展的条件下，在各领域广泛运用的背景下形成的。电子信息在信息的存储，传播和应用方面打破了长期以纸制为载体进行传播和存储一统天下的局面。代表了信息业的发展方向。电子信息产业，即电子信息产业工程是利用计算机等进行信息的获取，控制和处理。主要研究电子设备和信息系统的设计，开发，应用和集成。
电子信息涵盖诸多领域，甚至在军事现代化改革方面都是通过电子信息进行数据的传播，运用和控制，甚至对信息的保密，信息安全也提升成到前所未有的高度。我们现在耳熟能详的数字经济，大数据，云计算，网络安全，知识产权，量子通信等都离不开电子信息的技术。
电子信息首先要弄清楚信息是如何获取，传输，运用和控制的，然后再讲弄清楚电子信息所依赖的设备和信息系统搭建。所以需要掌握最基本的电路知识，数学知识，物理知识。如电子技术，信号与系统，计算机控制原理，通信原理等。然后进行设计，结合计算机进行实验。
随着信息化，智能化社会的发展，产业转型，产业升级，创新等几乎各行业对电子信息方面的人才需求都存在很大的缺口。正因为电子信息高度发达，电子商务也日新月异，从而也催生了现代化的国际物流服务，24小时送达，机器人分捡，无人机，物联网等，甚至出现了无人超市，无人餐厅等，这都依赖于电子信息产业的快速发展。
在目前上市的电子信息行业的公司中，规模较大的前5家分别是东方财富，紫光股份，中国长城，三七互娱和浪潮信息。2015年上半年，电子信息行业达到了峰值，也就是这个时间点之前，市场的景气化程度是相当高的。之后处于调整过程，这与整个经济发展环境有关，但是未来电子信息的发展前景是光明的，没有电子信息的发展，就没有现代化的发展，没有前进的方向，所以信息是基础。但是在电子信息泛滥的今天，如果更好的利用这类信息，自媒体大行其道的背景下，质量参差不齐。
二．电子信息产业
电子信息产业是研制和生产电子设备，及各种电子元件，器件，仪器，仪表的工业。电子信息产业可以分为三大类：投资类，消费类和电子元件。大规模集成电路和计算机的大量生产和使用，光纤通信，数字化通信，卫星通信技术的兴起，使得电子工业迅速成长为高技术产业。对军事领域产业了深刻的影响：改变了作战指挥系统，第一次世界大战以来，无线电通信成为基本的通信手段，利用电子技术，通过由通信，雷达，计算机等电子设备组成的指挥系统，改变了传统的通信，侦察和情报处理手段，大大提高了作战指挥效能。同时也改进了武器装备系统,,提高了现代化武器的威力和命中精度。电子元器件是现货武器装备的重要组成部分，电子技术是导d，卫星和其它高技术武器装备制导和控制的核心，无论是战略武器，还是战术武器，其效能高低都与电子技术密切相关，在电子侦察，电子干扰，电子摧毁等电子对抗中起到越来越重要的作用。当然在民用领域的运用也更加广泛。
我国的电子信息产业有三大特征：
1 产业规模不断壮大。2行业增速保持领先。3制造大国地位日益巩固
手机，彩电，计算机，集成电路稳居世界前列，但是核心领域也存在补短板的需要求。这也是电子信息产业发展的机遇，不仅需要财政，货币，产业政策上有所支撑，在人才培养，出口退税，融资环境方面也加大支持力度。
具体来看，电子信息产业可分为：雷达行业，通信设备行业，广播电视设备行业，电子计算机行业，软件行业，家用视听行业，电子测量仪行业，电子专用设备，电子元件，电子元器，电子机电产品，电子专用材料行业等。
德国电子信息产业历史做久，基础较好，在电子市场可与美国争霸，在军民领域都有较好的发展基础。而我国电子信息产业出现于20世纪20年代，国民政府时期主要在军领域以无线电收发报机为主。新中国成立后，政府十分重视电子技术的发展，设立了电信工业局，后来又设立了第四机械工业部，这标志着我国电子信息产业成了独立的工业部门。经过多年的发展，电子工业已具备相当规模，形成军民融合，专业门类比较齐全的新兴工业部门。不少产品达到了世界先进水平。但也存在区域发展不平均的问题，需要向中西部地区转移。需要完善基础设施，为产业转移创造便利条件。

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