Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新

Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖

美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND快闪存储器获得“最具创新性工艺技术”奖，其1Gb、50纳米的DDR2获得“最具创新性DRAM技术”奖。

美光公司存储器事业部副总裁Brian Shirley说：“从Semiconductor Insights这样一家知名的分析公司获得这些大奖，美光公司感到很荣幸。这些大奖证实了美光公司在DRAM和NAND快闪存储器方面持续的技术设计和工艺创新领导力。与我们的合作伙伴一道，美光公司继续推动著存储器技术的进步。”

Semiconductor Insights副总裁兼总经理Emil Alexov说：“美光公司在DRAM和NAND领域获得了巨大的进步，两种技术的工艺水平能制造出迄今尺寸最小的产品，同时还提供首个亚40纳米的快闪存储器设备。他们被选为两项而非一项Insight大奖的获得者，这清楚地证明了他们的创新承诺。”

据SI表示，32Gb、34纳米的芯片是业内首个密度最高的单片多层单元(MLC) NAND快闪存储器芯片。由于密度高、尺寸小，此芯片使客户能够轻松地增加许多消费和计算产品（例如数码相机、个人音乐播放器和固态硬碟）的NAND存储容量。32Gb、34纳米的NAND芯片由英代尔和美光公司共同开发，由双方合资成立的NAND快闪存储器公司IM Flash Technologies制造。

1Gb、50纳米的DDR2芯片尺寸仅为41平方毫米，为客户提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析产品之后，SI注意到本产品具有他们迄今分析过的最先进的DRAM工艺技术。50纳米、1Gb的DDR2由DRAM与南亚科技股份有限公司通过DRAM联合开发专案共同开发。

Insight大奖表彰那些通过在半导体行业的设计创新和技术进步实现巨大的技术进步并改变我们生活世界的公司。2009年3月31日，作为TechInsight在圣何塞举行的嵌入式系统大会（Embedded Systems Conference）的活动之一，在EE TImes ACE奖和Insight 奖颁奖典礼上颁发了这些奖项。