理光锂电保护芯片R5426原理及应用

理光锂电保护芯片R5426原理及应用,第1张

如今便携式电子产品越来越受欢迎,其电池设备也成为关注的焦点,由于锂离子电池和聚合锂电池能量密度大、使用时间长、满足环保要求,已逐渐取代镍镉电池和镍氢电池,成为便携式设备的首选充电电池。理光锂电保护芯片R5426系列是为应用在便携设备(如蜂窝电话,PDA)的单节锂离子电池而设计的。

R5426系列是单节可充锂离子/聚合物电池的过充/放电/电流保护芯片,它也包括一个短路电流保护器,避免外电路短路时的大电流。

R5426系列采用高耐压工艺制造,耐压不低于28V,封装为6-pin,SOT23-6SON-6,具有低耗电, (供电电流典型值3.0uA, 待机电流典型值0.1uA),高精度的检测器阀值,多种保护极限器阀值, 内置输出延时,还有0V可充功能,具有过充保护后锁定功能.

R5426系列的原理框图如图1

每个IC有四个电压检测器,一个参考电路单元,一个延时电路,一个短路保护器,一个振荡器、计数器和一个逻辑电路组成。当充电电压或充电电流由小变大,超过这两者相应检测器(VD1VD4)的阀值电平时,输出引脚Cout,即过充电保护检测器/VD1和充电过流检测器/VD4的输出电压经过内部相应延时就转为低电平。在过充或充电过流之后,电池包离开充电器并有负载连接到VDD,并当电池的电压降到过充检测值之下时,这两个相应检测器(VD1VD4)被复位并且Cout的输出变为高电平。如果电池包仍在充电器上,即使电池的电压降到过充检测值之下时,过充保护状态仍不会解除。

DOUT脚为过放电检测器(VD2)和放电过流检测器(VD3)的输出脚。当放电电压由高向低,且低于过放电检测器的阀值电压VDET2,即低于VDET2时,DOUT脚在经过内部固定延时后就转低电平。

在检测到过放后,如将充电器与电池组相连接,并当电池供电电压高于过放电电压检测器的阀值电压时,VD2被释放并且DOUT变成“高电平”。

内置过流/短路检测器VD3可以感应到放电过电流的状态,并经过内置的固定延时后,通过输出端DOUT变为低电平而切断放电;或检测到短路电流时使DOUT的值立即变低从而切断放电。一旦检测到过电流或短路后,可将电池包与负载分离,VD3被释放并且DOUT电平变为高。

另外,在检测到过放电后,芯片将暂停内部电路工作以维持在极低的耗电水平。通过将DS端设到与VDD相同的电平,能将以上保护延时(除短路保护)缩短。尤其是过充保护延时会缩短为1/90,因而测试保护电路的时间可缩短。而且,当DS端的电平设置在某一范围内,输出延时会取消,这样一来,过充和过充电流立即会被检测到。此时的延时约为不超过几十微秒。

本着节省使用成本的原则,R5426系列只需很少的外围器件即可构成完整的功能。其应用电路图如图2

R1C1稳定R5426的供电。推荐R1小于1K

R1过高会使检测值偏高,导致误差。R1R2也用于防止反充和充电电压过高对芯片的损害。R1R2过小,会导致电池包的自消耗过大。所以,R1R2电阻之和应等于或大于1K

另外,R2过大,当电池包过放,将电池包放在充电器上会不易恢复。建议R2的值小于或等于30K

本芯片的封装形式有SOT23-6SON-6

R5426拥有如此小的封装,使得芯片在PCB上高密度的排布成为可能,更有利于在极小的PCB上应用。

R5426具有RF射频抗干扰能力,众所周知当锂电用于手机及其他射频设备上时,锂电保护芯片的RF抑制性能将直接影响到整个产品的稳定性。

R5426的工作温度可以达到中国的高温军标,即在125℃下连续工作48小时不出现故障,R5426也可以应用在某些军用产品上, 能轻而易举地满足国内任何地区的使用环境温度要求。

理光的锂电保护芯片R5426系列,拥有以上出色的性能,可以广泛的应用在高精度的手机锂电池,PDA单节锂电池,还有军用单节锂电产品,随着锂电池在便携式设备和其他电子产品中更广泛的应用,锂电保护芯片R5426系列也将发挥更大的作用。■

理光锂电保护芯片R5426原理及应用,第2张

1 R5426系列内部原理框图

 

理光锂电保护芯片R5426原理及应用,第3张

2  R5426系列应用电路



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