Saifun 推出业界首个2Mb 串行E

Saifun 推出业界首个2Mb 串行E,第1张

非挥发性存储技术及元件供应商Saifun Semiconductors宣布进一步扩展其高密度EEPROM产品系列的阵容,推出全新SA25C020 2Mb SPI EEPROM,是业界首个结合小型SO8封装、低功耗和高性能特点的器件。Saifun的串行EEPROM产品专为需要高耐用性和低功耗的应用而设计和测试,针对持续可靠的非挥发性存储方案。

2M EEPROM推出的价位接近闪存 (Flash),加上其节省空间的封装形式,将有助于新应用的实现,如硬盘、光盘 (包括DVD)、机顶盒、打印机、游戏卡,以及无线产品。

2Mb SA25C020器件的高性能特性包括25Mhz时钟速度,结合待机功耗为1uA ICC typ的低功耗,并采用业界最小型的SO8封装。这些性能提升乃透过Saifun专有的捕获充电非挥发性存储技术来实现,能构建高效的EEPROM器件。

Saifun产品市务总监Dev Nair表示:“全新器件加强了Saifun在非挥发性存储器市场的地位。我们的目标是推出具成本效益的高密度EEPROM和串行闪存产品,以满足今日的市场需要,并且在未来开发增值产品,例如为选定的目标市场提供专用标准产品。”

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2422175.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-02
下一篇 2022-08-02

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存