DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

　　关键特性

　　在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

　　掉电期间数据被自动保护

　　当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态

　　电池监视器核查剩余电量

　　70ns的读写存取时间

　　没有写次数限制

　　典型待机电流50µA

　　可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存

　　第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

　　±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)

　　可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

　　PowerCap模块(PCM)封装

　　表面贴装模块

　　可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池

　　所有NV SRAM器件提供标准引脚

　　分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

　　通过美国保险商实验室协会(UL)认证