DS1250 4096k、非易失SRAM_技术

　　DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

　　关键特性

　　无外部电源时最少可以保存数据10年

　　掉电期间数据被自动保护

　　替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存

　　没有写次数限制

　　低功耗CMOS *** 作

　　70ns的读写存取时间

　　第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

　　±10% VCC工作范围(DS1250Y)

　　可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)

　　可选的工业级温度范围：-40°C至+85°C，指定为IND

　　JEDEC标准的32引脚DIP封装