铁电存储器的技术特点分析

铁电存储器的技术特点分析,第1张

如图1所示,电子电能表的基本架构包括下列各主要功能模块:电压电流取样电路;16位以上分辨率的ADC;计量与控制单元;通信接口; *** 作界面;显示器存储器。本文将以存储器为重点说明为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM)。

  铁电存储器的技术特点

  首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术,浮动栅存储单元包含一个电隔离门,浮动栅位于标准控制栅的下面及通道层的上面。浮动栅是由一个导电材料,通常是多芯片硅层形成的 (如图2所示)。浮动栅存储单元的信息存储是通过保存浮动栅内的电荷而完成的。利用改变浮动栅存储单元的电压就能达到电荷添加或擦除的动作,从而确定存储单元是在 ”1”或“0” 的状态。但是浮动栅技术需使用电荷泵来产生高电压,迫使电流通过栅氧化层而达到擦除的功能,因此需要5-10ms的擦写延迟。高写入功率和长期的写 *** 作会破坏浮动栅存储单元,从而造成有限的擦写存储次数(例如:闪存约十万次,而EEPROM则约1百万次)。

  铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器,是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体,如图3所示。当一个电场被施加到铁晶体管时,中心原子顺着电场停在低能量状态I位置,反之,当电场反转被施加到同一铁晶体管时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在另一低能量状态II。大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴,铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高,铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低,这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以作为存储器。

 

铁电存储器的技术特点分析,电子电能表的基本电路方块图 www.elecfans.com,第2张

图1、电子电能表的基本电路方块图。

铁电存储器的技术特点分析,浮动栅存储单元 www.elecfans.com,第3张
图2、浮动栅存储单元

铁电存储器的技术特点分析,铁电存储器结晶单元 www.elecfans.com,第4张
图3、铁电存储器结晶单元。

  特别是当移去电场后,中心原子处于低能量状态保持不动,存储器的状态也得以保存不会消失,因此可利用铁电畴在电场下反转形成高极化电荷,或无反转形成低极化电荷来判别存储单元是在 ”1”或 “0” 状态。铁电畴的反转不需要高电场,仅用一般的工作电压就可以改变存储单元是在 ”1”或 “0” 的状态;也不需要电荷泵来产生高电压数据擦除,因而没有擦写延迟的现象。这种特性使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据,写入速度快且具有无限次写入寿命,不容易写坏。所以,与闪存和EEPROM 等较早期的非易失性内存技术比较,铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。

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