1 引 言
铁电存储器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉电不挥发存储器,它结合了高性能和低功耗 *** 作,能在没有电源的情况下保存数据。FRAM克服了EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数低的缺点,其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多,已在地铁系统、抄表系统及IT工业中得到了广泛的应用。
TMS320VC5402(以下简称C5402)是美国德州仪器公司(TI)推出的一款性价比极高的16bit定点数字信号处理器(DSP), *** 作速率可达100MIPS,它丰富的内部资源配置为用户构造系统提供了很大便利,已经在通信、电子、图象处理等领域得到了广泛的应用。但是,C5402是RAM型器件,掉电后不能保持任何用户信息,所以需要用户把程序代码放在不挥发的存储器内,在系统上电时,通过执行自行引导装载(Bootloader)程序将存储在外部媒介中的代码装载到C5402高速的片内存储器或系统中的扩展存储器内,装载成功后自动去执行代码,完成自启动。基于实践经验,本文介绍了一种并行接口铁电存储器FM18L08的特点,同时还分析了C5402 并行引导装载模式的特点,给出了一种基于铁电存储器FM18L08和C5402接口的设计方案, 实现了基于并行引导装载模式的DSP脱机独立运行系统设计,并且该设计方案已成功的应用到一种语音门锁系统中。
2 FM18L08
FRAM的特点 Ramtron’s FRAM存储器技术的核心是微小的铁电晶体集成到记忆体单元,以至于它能象快速的不挥发RAM一样 *** 作。当一个电场被加到铁电晶体,中心原子顺着电场的方向移动。 移去电场,中心原子保持不动,保存记忆体的状态, FRAM 记忆体不需要定期刷新,掉电后立即保存数据。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存储容量为32k╳8bits FRAM,其主要特点如下:3.0-3.65V单电源供电;并行接口;提供SOIC和DIP两种封装;功耗低,静态电流小于15uA,读写电流小于10mA;非挥发性,掉电后数据能保存10年;读写无限次。 FM18L08引脚结构如图1: /CE:片选 /WE:写使能 /OE:输出使能 A0-A14:地址端 DQ0-DQ7:数据端 VDD:电源 VSS:地
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)