DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS *** 作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
通过美国保险商实验室协会(UL)认证
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