DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM_技术

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

　　关键特性

　　在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

　　掉电期间数据被自动保护

　　替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存

　　没有写次数限制

　　低功耗CMOS *** 作

　　100ns的读写时间

　　第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

　　可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

　　JEDEC标准的28引脚DIP封装

　　PowerCap模块(PCM)封装

　　表面贴装模块