许多工业和汽车应用中都使用了同步降压转换器电源拓扑结构;此类应用还要求具有低传导放射和辐射放射特性,以确保电源不会干扰共用同一条总线的其它设备(输入电压 [VIN])。例如,在汽车信息娱乐系统中,电子干扰(EMI) 会在汽车立体音响中发出挠人的噪音。
图1显示了同步降压转换器的原理图以及其开关节点波形。高侧MOSFET的开关速度和高侧/低侧MOSFET与印刷电路板(PCB)杂散电感和电容都具有在开关节点波形达到峰值时振铃的功能。而我们不需要开关节点波形振铃,因为它会增大低侧MOSFET的电压应力,并产生电磁干扰。
图1:同步降压转换器
为了确定图1中降压转换器的开关节点振铃与其所产生电磁干扰之间的关系,我按照国家无线电干扰特别委员会(CISPR) 25 Class 5的规定进行了传导放射测试。图2显示了测试的结果。测得的数据显示:在30MHz-108MHz的频率范围内,降压转换器的传导放射值比Class 5限制高出了15dBµV。
图2:CISPR 25 Class 5, 30MHz-108MHz,降压转换器 VIN = 12V, VOUT = 3.3V, IOUT= 5A
要降低电磁辐射,首先要降低开关节点的振铃噪声。有以下几种方法:首先减缓MOSFET的接通和关闭时间,从而控制开关节点的上升和下降时间。在串联电阻器(RHO与RLO)上加装MOSFET的栅极引线即可实现该功能;参见图3。第二步是在开关节点与接地之间加装一个缓冲器(RSUB与CSUB)。缓冲器电路可以在转换过渡期间抑制寄生电感和电容。
图3:接通和关闭电路
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