宏力半导体采用ARM物理IP 扩展其微米工艺

    上海宏力半导体(Grace Semiconductor)和ARM公司目前共同宣布授权协议，ARM公司将开发一套ArTIsan物理IP支持宏力公司0.18微米和0.13微米的工艺技术。该协议将使宏力公司接触到全球几千家采用ARM物理IP的用户，从而扩展其国内及全球的制造战略。
    
    

    
     “ARM产品在SoC设计领域内一直是领先的物理IP解决方案，”宏力半导体市场行销执行副总裁郭天全博士表示，“我们和ARM的合作将扩展我们在全球的影响力，并为客户提供通过生产验证的高质量产品，帮助他们缩短设计周期，最大程度降低风险并加快上市时间。”
    
     目前，可以立即通过ARM网站免费下载用于宏力公司0.18微米生产的ARM存储发生器、SAGE-X标准单元库和多用途I/O的前端工艺库。这些产品的完整工艺库将于2006年第一季度上市。
    
    

欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2427747.html