作者:赛普拉斯半导体存储器产品部门 资深主任应用工程师Jayasree Nayar
对于网络应用来说,选择合适的同步SRAM是至关重要的,因为网络应用需要增加带宽来达到更好的系统性能。系统设计人员需要明白不同种同步SRAM技术的特色和优势,从而可以为他们的应用选择正确的同步SRAM存储器。
选择合适同步SRAM的重要因素包括:密度,反应时间,速度,读写比率,以及功耗。了解了这些因素如何影响性能,可靠性和价格,设计人员就可以为他们的应用选择最佳的同步SRAM。
同步SRAM有如下分类:
图1:同步SRAM种类
Std.Sync: 标准同步
FT: Flow Through
PL:Pipelined
SCD: 单周期取消片选Single Cycle Deselect
DCD: 双周期取消片选Double Cycle Deselect
QDR: 四倍速Quad Data Rate
DDR: 双倍速Double Data Rate
标准同步SRAM
标准同步SRAM通常用于工业电子,仪器仪表,和军事应用。其经常用作数据缓存(临时存储),可以通过其高速、单倍速(SDR)接口随机存取。标准同步 Burst SRAM对于受控读写 *** 作来说是很理想的。客户可以选择Flow-through 或Pipelined结构,线性和交叉存取burst模式,也就是SCD和DCD。
Flow-through SRAM:Flow-through器件在输入端有一个寄存器。在时钟上升沿,捕获器件的地址和控制。在读 *** 作时,允许请求的数据流入器件输出端,因此在第一个周期会读出数据。在写 *** 作时。地址,控制和数据在同一个时钟上升沿捕获。
Pipelined SRAMs: Pipelined 和flow-through SRAM的区别是,pipelined器件在输入和输出端都有一个寄存器。在读 *** 作时,数据可以流入pipeline器件输出寄存器。在下一个时钟周期,数据锁存在器件输出端。这和flow-through器件有所区别,这是因为从pipelinedSRAM 出来的数据会比flow-through的晚一个周期。然而,pipeline器件可以工作在比flow-through器件更高的频率,因为访问会有几个周期的中断。pipeline器件的写 *** 作和flow-through器件相同。
Pipelined SRAM包括单周期取消片选(SCD)和双周期取消片选(DCD)两种类型。这决定了在器件取消片选以后需要多长时间使数据总线进入三态。三态定义为传输线设为高阻状态。
●双周期取消片选(DCD):I/O总线在片选结束两个周期后进入三态。
总体来说,pipelined SRAM可以比flow-through SRAM工作在更高的频率上。
在反应时间很重要的应用中,flow-through器件更合适,如果速度更重要,那么pipeline器件更合适。
如果系统的读/写比率为1:1,那么标准同步的Flow-through 和Pipelined SRAM就都不合适了,NoBL SRAM更合适。
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