去耦合对电磁兼容到底有什么影响_技术

【导读】在考虑配电网(PDN)阻抗与同时开关噪声(SSN)和电磁兼容性(EMC)的关系时，了解去耦合的影响至关重要。如果一个PCB的功率完整性或去耦合特性较差，例如高PDN阻抗，就会产生SSN和EMC问题。本文将通过实际案例，来证实PCB的PDN阻抗、SSN和EMC之间的关系。

本文通过实际案例，来证实PCB的PDN阻抗、SSN和EMC之间的关系。

在考虑配电网(PDN)阻抗与同时开关噪声(SSN)和电磁兼容性(EMC)的关系时，了解去耦合的影响至关重要。如果一个PCB的功率完整性或去耦合特性较差，例如高PDN阻抗，就会产生SSN和EMC问题。本文将通过实际案例，来证实PCB的PDN阻抗、SSN和EMC之间的关系。

分析和结果

测试的原型为下面两个版本：一个由晶体振荡器提供外部50MHz参考的FPGA；三个主要接口：350MHz时钟速率的DDR2 SDRAM、150MHz的ADC数据总线和100MHz 的以太网。所有这些元器件都由1.8V降压转换器供电。通过表1中列出的测试案例，可以了解去耦合(包括PCB叠层和电容器)对SSN和EMC的影响。

在测试案例1中，原型PCB包括四个信号层和一个接地层，有16个0.1μF去耦合电容器连接到PCB上FPGA的+1.8V电源引脚。在测试案例2中，原型PCB包括四个信号层和三个接地层，有25个0.1μF去耦合电容器连接到PCB 上FPGA的+1.8V电源引脚。

表1. 研究PCB去耦合对SSN和EMC影响的测试案例。

由图1的PDN阻抗曲线可以看出( 使用Mentor Graphic Hyperlynx软件对布局后期的功率完整性进行分析)，相比测试案例1，测试案例2的电力网有更好的去耦合条件，因而在宽带范围内有更低的阻抗。0.1μF的电容器在中低频段（< 400MHz）会产生影响。另外，接地层的平面电容在频率高于400MHz时会产生影响。与测试案例1相比，测试案例2有更多的去耦合电容器和接地层，因而具有更低的PDN阻抗。

图 1. PDN 阻抗图

然后，对两个测试案例中频率跨越30MHz至1000MHz时+1.8V(使用频谱分析仪通过交流耦合探测)的功率频谱进行比较。参见图2b所示的测试案例2的频谱，所观察到的杂散主要是由晶体振荡器(50MHz基频)、DDR2 SDRAM (350MHz基频)、ADC数据总线(150MHz基频)和以太网(100MHz基频)的谐波造成的。在图2a所示的测试案例1中，由于去耦合性能较差，频谱上出现了杂散，其功率达到最高。

PDN阻抗和晶体振荡器瞬态电流之间的相互作用，加上在特定频率上同时开关或切换的IC输出缓冲器(即SSN)，共同产生了电网噪声。通过改善去耦合降低功率阻抗，SSN和频率杂散便能得到抑制。