相较于第一版(JESD235A)HBM2引脚的2Gbps,HBM2E将这一速度提升到了3.2Gbps,并且单堆栈12 Die能够达到24GB的容量,理论最大带宽410GB/s。同时,按照设计规范,对于支持四堆栈的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s。
过往,三星和SK海力士在HBM内存领域占据领先地位。目前,各大内存厂商在HBM2E层面已经开始铺货。就以SK海力士的节点来看,2020年7月2日,SK海力士才对外宣布开始量产超高速DRAM HBM2E,这是一款具有 460GB/s 带宽的高带宽内存来自使用硅通孔 (TSV) 的垂直堆叠 DRAM 芯片,针对深度学习加速和 AI 系统优化,面向服务器、物联网、消费电子和汽车领域。
从时间上来看,外界公布HBM2E的时间节点是2020年2月,SK海力士的量产时间是7月份,而三星就更快了,同样是在2月份就已经对外发布首款HBM2E显存。
虽然HBM2E的标准参数很出色,但现在不得不说它已经过时了,现在HBM3的PHY、控制器和子系统方案已经面世。目前在JEDEC官网,JESD235D标准已经开始对会员企业免费开放。当然,该协议也支持开放购买,售价是274美元。
现在你不需要为获取HBM3参数去花费这些钱,和过往一样,参与制定标准的这些内存厂商已经迫不及待地对外公开HBM3的性能参数了。根据SK海力士在6月份公开的细节来看,过渡版的“HBM3”标准有望实现 5.2 Gbps的引脚传输速率,较现有的HBM2E提升44%,从而大幅提升整体的内存带宽。
但从Rambus公司目前实现的方案来看,SK海力士显然过于保守了,当然就如同上面提到的,SK公开的这个是一个过渡标准,并不是真正的HBM3,而Rambus选择一步到位实现HBM3。
8月17日,Rambus推出了其HBM3内存子系统解决方案,速率高达8.4 Gbps,单颗带宽达到了1.075TB/s。这个数据有多恐怖呢?我们参考一下上一代的HBM2E,在标准协议中,JEDEC的定义是引脚速度为3.2Gbps,单核带宽为410GB/s。在实际的实现过程中,不管是Rambus还是SK海力士,最终实现的方案都达到了3.6Gbps,单核带宽达到了460GB/s。
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